MCP111电压检测 Output driver的具体电路？

发表于 2026-2-1 18:25

MCP111 的 Output driver 为开漏结构，需外接上拉电阻才能输出高电平，内部仅含 N 沟道 MOSFET 下拉管，无内部上拉。

发表于 2026-2-2 19:02

MCP111 的输出驱动（Output Driver）为低电平有效开漏输出结构，无内部上拉，需外部上拉电阻配合使用

发表于 2026-5-19 15:49

MCP111 输出驱动为 ** 开漏输出（Open-Drain）** 结构：
核心：单只 NMOS 管，漏极接 VOUT，源极接 VSS。
工作：VDD 低于阈值 → 比较器输出高 → NMOS 导通 → VOUT 拉低（低有效）。
常态：VDD 正常 → NMOS 截止 → VOUT 高阻，需外部上拉电阻至 VDD。
无内部上拉、无推挽 PMOS，低功耗、抗总线冲突。

发表于 2026-5-20 15:50

MCP111 输出驱动为内置 NMOS 开漏电路，源极接芯片地，漏极引出作为输出脚。电压低于设定阈值时内部 NMOS 导通，输出拉至低电平；电压正常时管子截止，输出呈高阻态。电路无内置上拉电阻，需外接上拉电源电阻才能输出高电平，结构简洁、功耗低，适配电平检测与触发电路。

[模拟产品/SiC] MCP111电压检测 Output driver的具体电路？

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