简单靠谱的3.3v降到3v峰值100ma肖特基二极管行么?

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 楼主 | 2019-11-18 00:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
需求如题,电源是3.2-3.3v,需2.9-3.1,负载电流变化较大,最小时估计1ma,峰值不超过100ma,用个肖特基二极管降压下来用可以么?或者有什么更靠谱的方案?我找到一个参数如下,不知道是否能用,请各位指点
1574009356(1).png 1574009410(1).png

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| 2019-11-18 15:17 | 显示全部楼层
还得看看温度曲线,0°和85°差很多很多

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| 2019-11-18 15:18 | 显示全部楼层
低温启动可能会导致压降太大,刚启动的一段时间内电压过低

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| 2019-11-18 16:50 | 显示全部楼层
3.3V电源后用一个3.0V的LDO最好了,压差足够了

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 楼主 | 2019-11-18 23:30 | 显示全部楼层
手持设备,室温内使用,平均功耗在20MA左右,温度曲线如下,感觉挺稳定,不知道是不是看错了
1574090986(1).jpg

有这么低压差的LDO么?我查查看
从稳定性方面考虑,LDO是不是更靠谱一些?

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| 2019-11-19 17:11 | 显示全部楼层
LDO 靠谱。价格就几分人民币,五毛可以买1打。
XC6206P332MR_rmb0.074@10ku.PDF (1.87 MB, 下载次数: 15)

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xch 2019-11-20 16:03 回复TA
@yanwen217 :这么多年还不知道非线性? 
yanwen217 2019-11-20 15:52 回复TA
@xch :搞技术的最好自己实际测试看看,同一测试环境下看看Dropout电压是否跟负载电流成线性关系,臆测不是工程师应该有的工作态度!我玩芯片测试七八年,这些数据都测试过,算了,与你争执没任何意义!好言相劝,要多做测试! 
yanwen217 2019-11-20 15:45 回复TA
@xch : 自己没有实际批量测试数据不要乱下结论,乱污蔑人是要遭雷劈的! 
xch 2019-11-20 15:10 回复TA
@yanwen217 :一般的OPA都不敢说线性,LDO数据也敢说线性 
xch 2019-11-20 15:09 回复TA
@yanwen217 :造假一流。 
yanwen217 2019-11-20 14:37 回复TA
另外在教你一点,同一个输出电压下的Dropout voltage与负载电流的线性关系非常好 
yanwen217 2019-11-20 14:24 回复TA
@xch :自己先了解清楚什么是Dropout voltage吧,如果你是业务,可以理解,如果是搞技术的,真该打屁股了 
xch 2019-11-20 00:59 回复TA
@yanwen217 :你这是小学生做作业。非线性的跌落 
yanwen217 2019-11-19 21:24 回复TA
难怪能搞这么低的价格! 50mA压差是240mV@3.3V,100mA就是480mV,你这是坑楼主呢! 
| 2019-11-19 21:31 | 显示全部楼层
worldheaven 发表于 2019-11-18 23:30
手持设备,室温内使用,平均功耗在20MA左右,温度曲线如下,感觉挺稳定,不知道是不是看错了

二极管压降批次差异也比较大,电流不同压降也不同,不可靠。
用LDO即可,但是楼上几分钱的那种不能用,Dropout电压太大,要选一毛多的,Dropout电压都能做到1mV~2mV@1mA

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 楼主 | 2019-11-20 00:24 | 显示全部楼层
yanwen217 发表于 2019-11-19 21:31
二极管压降批次差异也比较大,电流不同压降也不同,不可靠。
用LDO即可,但是楼上几分钱的那种不能用,Dr ...

谢谢,我找了个LDO批量3毛,感觉300mv压差的没有一毛两毛的,看参数用应该没问题,不知道靠不靠谱,手册如下:
C98226_ME6210A30PG_2017-03-16.PDF (251.84 KB, 下载次数: 2)

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| 2019-11-20 09:49 | 显示全部楼层
yanwen217 发表于 2019-11-19 21:31
二极管压降批次差异也比较大,电流不同压降也不同,不可靠。
用LDO即可,但是楼上几分钱的那种不能用,Dr ...

LDO 输出1mA时跌落就可能达到100mV。 不能按照这个简单计算跌落。
要看负载调整率。
它的负载 1~80mA 变化时,输出电压仅变化20mV。这段负载电流条件可以看作是该LDO线性范围,内阻0.25Ω。
预测100mA输出时的跌落 = 240mVmax@50mA + 0.25欧姆*50mA = 253mV。 楼主的需求是3.1V输入,2.9V输出,跌落0.3V。 所以可以满足。

当然,手册给的负载调整率数据是基于输入大于输出1V时的数据,上述估算不是很准,实际跌落可能大于253mV。

pmos 内阻是驱动电压的函数。 假设Vgsh =1.5V(根据手册,它最低工作电压是1.8V, 所以这个预测数据合理), 内阻可以按照1.47倍进行修正,修正后Ldo在100mA负载时的跌落258mV. 仍然满足要求。

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| 2019-11-20 11:24 | 显示全部楼层
953465dd4b1b7c42d9.png 用TJ9198就行

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| 2019-11-20 14:21 | 显示全部楼层
xch 发表于 2019-11-20 09:49
LDO 输出1mA时跌落就可能达到100mV。 不能按照这个简单计算跌落。
要看负载调整率。
它的负载 1~80mA 变化 ...

这里不是看负载调整率,是要看Dropout voltage!
并且评估是否可靠是要看Dropout voltage的最大值

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xch 2019-11-20 15:08 回复TA
废话。 凭什么跌落与输出电流是线性的?数据造假 
| 2019-11-20 15:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 xch 于 2019-11-20 15:25 编辑

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数据手册说明输出50mA 时跌落240mVmax,这里仅是一个点的数据。

549055dd4e7ef637ed.png

紧接着,数据手册还指出在输出负载 在1mA~80mA 之间变化时输出变化20mV。


说明220mVmax 跌落是在0~1mA 输出负载变化时产生的,说明跌落非线性。

看得明白吗?

也就是说就算20mv跌落都在50~80mA负载电流之间发生 80mA时跌落就是260mVmax。

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| 2019-11-20 16:28 | 显示全部楼层
这种降压很不可靠

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| 2019-11-20 17:43 | 显示全部楼层
考虑到 @yanwen217 的强烈反对 ,折中一下:楼主,你就用两只LDO并联,价格也就1毛多,比肖特基便宜。
如果一只够用就不用两只LDO,最终你自己决定。  

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| 2019-11-20 20:16 | 显示全部楼层
xch 发表于 2019-11-20 15:20
数据手册说明输出50mA 时跌落240mVmax,这里仅是一个点的数据。

1m<Iout<80mA这里给的参数是负载调整率,不是饱和压降(dropout),你看他的测试条件是Vin=Vout+1V

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| 2019-11-20 21:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 yanwen217 于 2019-11-20 21:34 编辑
xch 发表于 2019-11-20 15:20
数据手册说明输出50mA 时跌落240mVmax,这里仅是一个点的数据。

将Load regulation与Dropout voltage 混为一谈!很佩服这位兄弟的韧劲,咋就是不肯动手测试确认呢?!
如果现在哪家原厂LDO的Dropout voltage还做不到比较线性的水平,那研发能力就太low了!上两个曲线图好好看看吧,一个是特瑞仕12V耐压的,基本是直线!一个润石科技55V耐压的,这线性度也是相当不错的。
236945dd53d58bffd1.png 691115dd53dea066c3.png


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 楼主 | 2019-11-21 22:39 | 显示全部楼层
各位别激动,,目前所带负载通知我能扛得住3.3,测试版先直通过去了,电源也是电池,应该不会有太大冲击,等到手了我测测是否有电压波动,有的话就组几个测试电路在这个贴追上测试结果

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 楼主 | 2019-11-21 22:40 | 显示全部楼层
xch 发表于 2019-11-20 17:43
考虑到 @yanwen217 的强烈反对 ,折中一下:楼主,你就用两只LDO并联,价格也就1毛多,比肖特基便宜。
如果 ...

谢谢建议,LDO还能并连用?我也学习一下

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yanwen217 2019-11-22 23:11 回复TA
@xch :Dropout voltage和Load transient两个完全不同的参数能混在一起谈的,也就你这种神仙能想的出来! 
yanwen217 2019-11-22 22:46 回复TA
@xch :还有脸提到猪!说你是畜生都是侮辱这两个字!基本的东西都不懂还好意思乱哔哔丢人现眼! 回炉去吧,好心劝你实际做做测试在下结论,哔哔“非线性”,贴了两幅曲线图让你醒悟,却还整出“LDO并联”,就这水平还恬不知耻骂人,有脸不?! 
xch 2019-11-22 15:02 回复TA
@yanwen217 :你不说话,大家都不知猪是怎么叫的。 
yanwen217 2019-11-22 09:44 回复TA
本不想打击他,无知无畏也就算了,却一而再挑战基本应用!无语了! 
| 2019-11-22 07:33 | 显示全部楼层
...........

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| 2019-11-22 09:52 | 显示全部楼层
worldheaven 发表于 2019-11-21 22:40
谢谢建议,LDO还能并连用?我也学习一下

LDO不能并联使用,因为一则不同芯片启动时间不同,也就是输出电压建立时间不同,会出现一个向另一个倒灌的情况,二则不同芯片输出电压是有差异的,也会出现倒灌,芯片会有被倒灌电流烧坏的风险。
有些应用负载电流很大,基于成本考虑会采用并联方式,但是需要加防倒灌措施;本身能防倒灌的LDO也有,但是极少极少。

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