本帖最后由 bbyeah 于 2011-12-7 17:42 编辑
好题目
先算静态工作点，Ids=(Vgs-Vth)*0.5*u*cox*W/L，这里提供了Vgs，于是可以知道R4上的电流Iss
Va应该是指厄利电压，可以换算成管子的输出阻抗，这里T1，2的Vds不同，在给了Va的情况下可以根据沟道宽度调制算出两者的电流差值，分别得到各自的电流，然后R3上的压降可以得到
接下来算T3的工作点，beta个人认为其实可以不要了，直接用Ic/Vt得到这个三极管的gm，然后代入射极反馈放大器的表达式。如果考虑基极电流的话当然beta是需要的。
最后一级交流增益约为1
共模抑制比直接按定义计算
低频截止频率由C2和两端的等效电阻决定，高频截止频率有T3基极-集电极间电容 （Cpi*该级电压增益（米勒效应））+Cu+Cgd和基极结点等效电阻确定
图中公式1是MOS在饱和区（放大区）的模型，1/lamda=Va，Veff=Vgs-Vth;后者是BJT的模型
-----------------------------
更正，第一级差分输入单端输出增益减半;放大器负载电阻应考虑晶体管的输出阻抗ro，ro可以由Va计算得到lamda再在输出特性曲线上对Vds（Vce）求导得到 |
楼主
标题置顶
标题高亮
