在设计充放电异口的锂电池组的BMS保护系统时，通常情况下都会对充电口进行防反接设计，防止电池通过充电口对外部放电。
而常用的防反接方式就是在电池组的充电回路中串接二极管，限制电流的流向，使充电回路只能对电流进行充电，而无法对外进行放电。但是直接在充电回路中串接二极管有一些弊端，比如大电流充电的发热问题，比如压降问题（电池组实际获得的电压为充电器电压减去二极管上的压降，可能导致电池无法充饱）。
一种可用的优化方式为采用MOS管替代二极管串接在电池组的充电回路中，在充电时打开MOS管，使其导通，降低内阻，这样可以很大程度上解决发热问题和压降问题（MOS管导通时内阻足够小）；而在未处于充电状态时关闭MOS管，这时MOS管等效于一个二极管，可以起到限制电流流向的作用。
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图1：防反接MOS管电路示意
如图1所示，MCU的IO口（图中FJ）通过驱动一个三极管来驱动防反接MOS管。未处于充电状态时，FJ为低电平，三极管Q22截止，MOS管V6截止，其等效为一个二极管。当充电器接入，可以通过V6的体二极管对电池组进行充电；当系统检测到充电电流时，控制FJ为高电平，Q22导通，V6的G级被拉低，V6导通，可进行正常充电。当系统检测到充电电流消失时（可能是发生保护，也可能是充电器被移除），通过控制FJ拉低来关闭MOS管，从而达到防反接的目的。
最开始采用的逻辑是V6的通断只跟充电电流有关系，当有充电电流时V6打开，没有充电电流时V6关闭。但是在测试时发现会出现温度异常导致系统发生保护。通过测试与分析，发现是充电防反接MOS管的通断通过充电激活电路影响到了温度测量。
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图2：充电激活电路
如图2所示，充电激活电路为通过获取最低一串电芯的电压接入AFE芯片的TS1引脚来达成激活动作。平时状态下C+没有电压，V1处于截止状态，V9同样处于截止状态。当C+接入充电器时，电压瞬间拉高，短时间内电容C42等效于短路状态，R87被加上电压，导通V1，拉低V9的G极，从而导通V9，TS1获取到电压从而激活系统。之后C+对电容C42进行充电，R87上电压回落，关闭V1和V9，TS1引脚在该部分电路上恢复悬空状态，可在其他地方接入NTC电阻进行温度测量。
充电激活电路和充电防反接MOS管电路结合使用时，当电池组BMS系统处于放电状态时，如果负载中有感性负载（电机等），当电机发生堵转或其他原因，导致放电口有电流灌入电池组，系统检测到的电流为充电电流，这时候系统会控制充电防反接MOS管V6导通。此时电池组的电压会通过V6接入到C+端，等效于接入了充电器；C+端被加上的电压通过充电激活电路会拉高TS1一段时间，而此段时间内温度采样会被影响，导致测量出现错误，系统出现异常保护动作。
为了解决这个问题，需要进行两个动作，第一是修改防反接MOS管控制逻辑，第二是温度采样滤波。
首先，对防反接MOS管的控制逻辑进行修改，加入充电器在位逻辑判断，只有在充电器在位且有充电电流时才去打开防反接MOS管，充电电流消失就去关闭防反接MOS管。因为充电器检测时防反接MOS管是关闭的，此时检测到的充电器在位信号为真实的充电器在位，而不会是电池组电压传导过去的假信号。在这个逻辑关系下，即使放电口有电流灌入电池组，因为此时没有充电器在位信号，系统不会去打开防反接MOS管，因此可以避免发生上述问题。
在加上上述逻辑之后，解决了防反接MOS管误开启导致的问题，但系统处于运行状态时充电器真正接入还是会发生上述问题。为了解决这个问题，需要对温度采样值进行滤波。如果系统运行过程中温度发生突变，且突变值超出一定范围（例如5℃），则忽略此次采样值；如果突变值连续保持超过一定时间（例如5秒），才会接受突变后的温度值。因为正常运行过程中温度不会发生忽然突变的情况，如果检测到温度值发生突变，很可能是TS1引脚被充电激活电路影响导致误测量。
在采用了上述两个解决方案之后，防反接MOS管电路可以有效的工作，并发挥出应有的作用，且不会影响到系统其他部分的运行。
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