NV32 操作 EEPROM

uint16_t EEPROM_Erase(uint32_t adr)

{

    uint16_t err = EEPROM_ERR_SUCCESS;

    uint32_t e_adr;



     if(adr & 0x03)

    {

        err = EEPROM_ERR_INVALID_PARAM;

        return (err);

        }

  

    if(adr >1024)

    {

        err=EEPROM_ADR_OverFlow;

    

      return(err);

    }

    

    e_adr=adr+EEPROM_START_ADR;

    err = Flash_EraseSector(e_adr);  

    return(err);

}

uint32_t EEPROM_Read(uint32_t adr)

{

    uint16_t err = EEPROM_ERR_SUCCESS;

    uint32_t e_adr;

    uint32_t data;

    

    if(adr & 0x03)

    {

        err = EEPROM_ERR_INVALID_PARAM;

        return (err);

        }

  

    if(adr >1024)

    {

        err=EEPROM_ADR_OverFlow;

      return(err);

    }

    

    e_adr=adr+EEPROM_START_ADR;

    data = M32(e_adr);

    return(data);

    

}

uint16_t EEPROM_Write(uint32_t adr, uint32_t Data)

{

  

    uint32_t err = EEPROM_ERR_SUCCESS;

    uint32_t e_adr;

    uint32_t r_data;

    uint16_t i;

    uint32_t start_adr;

 //   uint32_t modify_adr;

    uint32_t EEPROM_DATA[128];



    if(adr & 0x03)

    {

        err = EEPROM_ERR_INVALID_PARAM;

                return (err);

                }

  

    if(adr >1024)

    {

        err=EEPROM_ADR_OverFlow;

      return(err);

    }



    

    r_data = EEPROM_Read(adr);

    

    e_adr=adr+EEPROM_START_ADR;



    if(r_data== EEPROM_BLANK) //如果要写的位置是空的，则直接写

    {

      err= Flash_Program1LongWord(e_adr,Data);

    }

   else if((r_data&Data) == Data)//如果要写的位置对应的bit，和要写的数据一致，或者是1，也是可以直接写

     {

      err= Flash_Program1LongWord(e_adr,Data);

    }

    else if(r_data == Data) //如果要写的数据和现有的数据一致，就不进行任何操作，直接返回

    {

      return(err);

    }

    else

    {

        start_adr = e_adr & EEPROM_SECTOR_MASK; //计算出sector的头地址    

        

        for( i=0;i<128;i++ ) //如果要写的位置不为空，则先把flash内容读取出来，放在sram中，修改

        {

          EEPROM_DATA[i] = M32(start_adr + 4*i);

        }

            

        EEPROM_DATA[(adr&EEPROM_ARRAY_ADR_MASK)>>2] = Data; //修改SRAM 中的数据

        

        err=EEPROM_Erase(adr);

     

        err=Flash_Program(start_adr,(uint8_t*)EEPROM_DATA,512);//然后写入flash

    }

    return(err);

    

}

uint16_t EEPROM_WriteByte(uint32_t adr, uint8_t Data)

{

    uint32_t err = EEPROM_ERR_SUCCESS;

    uint32_t data_mask;

    uint32_t r_data;

    uint32_t data_m0;

    uint32_t data_m1;

    uint32_t word_adr = adr &0x3fc;

    uint32_t  b_sit= adr & 0x3;

    



 //先让高位为FF

                data_m0 = Data << b_sit*8;   

    data_mask = 0xFFFFFFFF<<(b_sit+1)*8;      

        //然后让低位为FF    

    data_m1 = 0xFFFFFFFF >> (32-b_sit*8);

    data_m1 = data_m1 | data_m0 | data_mask ;

 



    r_data = EEPROM_Read(word_adr);

          r_data |= 0xFF<< b_sit*8;



    data_m1 = data_m1 & r_data;

                          

    err = EEPROM_Write(word_adr , data_m1);

    

    return(err);



}

uint8_t EEPROM_ReadByte(uint32_t adr)

{

   uint32_t r_data;

   uint32_t word_adr = adr &0x3fc;

   uint32_t b_sit= adr & 0x3;

   uint8_t  data;

   

    r_data = EEPROM_Read(word_adr);

    data = (r_data>>b_sit*8)& 0xff;

    return(data);

   

   

}

uint16_t EERPOM_Writeup4byte(uint32_t adr,uint8_t *pData,uint32_t length)

{

        uint8_t buf[512];

        uint8_t *pbuf;

        uint32_t e_adr;

        uint32_t e_sec;

        uint32_t e_offset;

        uint32_t a;

        uint32_t err = EEPROM_ERR_SUCCESS;

        

   #ifdef IAR

    if(adr & 0x03)

    {

        err = EEPROM_ERR_INVALID_PARAM;

              return (err);

           }

    #endif

  

    if((adr + length )>1024)

    {

        err=EEPROM_ADR_OverFlow;

      return(err);

    }

    

        e_adr=adr+EEPROM_START_ADR;

        e_sec=e_adr & EEPROM_SECTOR_MASK;

        e_offset=e_adr & 0x1ff;



        

        while (length>0){

          //如果起始地址不等于0，或者长度小于512 都进入这个循环

                if (e_offset||(length<512)){

                        pbuf=buf;

                        a=512-e_offset;

                        a=(length>a?a:length);

                        

                        memcpy(buf,(uint8_t*)e_sec,512);

                        memcpy(&buf[e_offset],pData,a);

                        pData+=a;

                        length-=a;

                        e_offset=0;



                }else{ //如果起始地址等于0且长度大于512

                        pbuf=pData;

                        pData+=512;

                        length-=512;

                }

                err=Flash_EraseSector(e_sec);

                err=Flash_Program(e_sec,(uint8_t*)pbuf,512);//然后写入flash

                e_sec+=0x200;

        }

        return err;

}