一、除了使用boot引脚控制运行系统BootLoader，也可以上电后跳转，跳转前注意以下问题：
（1）禁止所有外设时钟
（2）禁止使用的PLL
（3）禁止所有中断。
（4）清除所有中断挂起标志。
退出系统BootLoader的方法：
（1）退出boot激活条件，产生硬件复位。
（2）使用Go命令执行用户代码。
重要注意事项：
（1）如果使用Go命令，对于BootLoader中使用的硬件外设寄存器，跳转前是不会设置到复位值的，如果用户代码中恰好也用到这些寄存器，需要重新配置。这里要特别注意的是BootLoader会用到看门狗，并且喂狗时间设为最长了，如果用户代码里面要用到看门狗请根据需要重新配置，并且看门狗一旦开启是无法关闭的。
（2）对于具有双bank特性的STM32，为了能够从用户代码跳转到系统boot，需要将系统boot代码区使用寄存器SYSCFG重映射到0x0000 0000（除了STM32F7系列）。对于STM32F7系列，需要禁止nDBOOT / nDBANK 特性，然后跳转到系统boot区。
（3）如果用到系统bootl的DFU/USB接口，需要用到HSE时钟，这个时钟的频率是通过内部HSI/MSI检测出具体频率。因此，由于外部温度等各种情况，内部HSI的精度会受到影响，从而影响检测出来的HSE时钟有较大误差，最终导致DFU/CAN运行失败。
二、BootLoader的内存管理：
使用bootloader命令进行的所有写操作都只能对齐字（地址应该是4的倍数。 要写入的数据数量也必须是4的倍数（接受未对齐的半页写地址）。
1、有些产品不支持批量擦除操作。 使用BootLoader进行批量擦除时，有两个选项可用：
（1）使用扇区擦除命令一个一个删除。
（2）将保护级别设置为1，然后设置为0（使用读保护命令，然后使用读非保护命令），将导致大批量擦除操作。
2、STM32 L1和L0系列的Bootloader除了支持操作内部Flash，内部SRAM，可选字节等，还支持操作Data Memeory（数据存储区，貌似是指的EEPROM）
数据存储区支持读写操作，而不支持擦除命令，如果要擦除，写0即可。另外对此存储区的写操作必须是4字节对齐（写的地址），并且写入的数据也是4的倍数。
3、F2, F4, F7 和 L4除了支持操作内部Flash，内部SRAM，可选字节等，还支持操作OTP存储区。仅支持读写操作，不支持擦除命令。
4、F2, F4 和 F7系列的内部Flash写格式依赖于供电电压范围，默认的写操作只支持字节（半字，字和双字是不支持的），为了增加些操作速度，用户施加足够的电压范围以允许写操作按半字，字或双字，并通过虚拟内存位置的boot程序更新此配置。该内存位置不是物理地址，但可以根据协议使用常规的BootLoader读/写操作。 该存储位置包含4个字节，分别为如下表所述。 |
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