本帖最后由 年轻的国王 于 2020-8-10 16:25 编辑
采用新唐MCU N76E003做的BLCD无刷电机驱动器，整个原理图如下：
上图的原理图，大致先说明如下： 关于线路图部分的分析，将在这个帖子展开..............
首先描述一下各相驱动，该部分线路见下图：
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CH、CL分别是C相单片机驱动输出，CH、CL分别为上下臂独立驱动信号，这一次，采用的驱动信号是单极性的，即上臂驱动是PWM调速波形，而下臂则只是简单的换相方波。
具体见下面的驱动波形图：
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这样的驱动，和上下臂都是PWM比起来，下管少了PWM开关损耗，可以些许提高MOS管的效率，至于驱动时序，如果看过前面一贴的，想必大家都已经熟悉了。
这里，送到CH、CL的就是这样的时序和波形。
其中，IC3是专用浮栅驱动芯片，上臂驱动耐压为300V，VCC最高20V，驱动输出端口电流为+1A、-1.5A，而且据官方说法，解决了浮栅驱动芯片常见的线路设计不良容易造成芯片闩锁导致驱动损坏问题，批量售价0.5以下，在中压驱动范围性价比基本无敌了。3个通道总共用了3片。
2、3脚分别是上下驱动输入，同时内置100K左右的下拉电阻，这个在和单片机接口时候特别好用，在单片机芯片复位期间，可以保证当芯片IO为高阻时候，不需要另外加下拉电阻来确定输入端的电平，D3为上臂驱动供电的自举二极管，在一般的低压中小功率使用1N4148绰绰有余，当功率增加到像12管600W驱动时候，则可以考虑用功率更大的快恢复管了。
C7为自举电容，中小功率，0.47uf就已经非常足够了，这里不给出复杂的计算，只给出一个大概的参考。像600W控制器用1uf即可。这里考虑到性能和体积，直接用了一个0805 25V耐压的陶瓷贴片，容量为0.47uf。
R8\R5分别是上下MOS管的栅极驱动限制电阻，适当的串联电阻，可以限制一下MOS驱动的边沿速度，取值范围只需要能有效限制超高速边沿导致极其短时间的恢复尖峰即可。
末级MOS管采用AO4884，SO8封装内部包含双N型MOS管。VDS=40V，导通电阻10V栅极电压时候典型值=13mΩ，电流8A（70℃），Qg=27nC，在做100W以内的驱动完全够了。
R10\R11并联后，用来检测电机过流，实际值为0.15欧姆，3A时候电压=0.45V。再通过R9C8简单限流滤波后送比较器正好空余的一个单元用来产生过电流中断。
到这里，驱动单元部分分析完了............. （ |
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