本帖最后由 上进的小鹿 于 2020-8-11 13:07 编辑
MOSFET规格书参数详解（参考AOD444） *
说明：MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。 影响：超过的话会让MOSFET损坏。 说明：ID的漏电流。 测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源极两端给48V的电压。 影响：漏电流越大功耗越大。 说明：栅极漏电流 测试条件：在Vgs=+-20V，在漏极和源极两端不给电压。 影响： *
说明：开启电压 测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。 影响：低于参考值可能出现不导通现象，设计时需要考虑范围值。 *
说明：完全开启，漏极和源极两端最大过电流30A， 测试条件：在Vgs=Vds，在漏极和源极两端电流控制在250uA。 影响：低于参考值可能出现不导通现象，设计时需要考虑范围值。 *
说明：导通时，Vds的内阻 测试条件：在Vgs=10V，通过12A的电流；Vgs=4.5V，通过6A的电流，在漏极和源极两端的内阻。 影响：内阻越小，MOS过的电流越大，相同电流下，功耗越小。 说明：跨导的单位是A/V。是源极电流Id比上栅极电压Vgs，是栅极电压对源极电流的控制作用大小， 跨导：
线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。 这个电路单元通常指放大器。
在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。
单位是 S （西门子），SI基本单位量纲 m^-2˙kg^-1˙s^3˙A^2 ，一般用mS 测试条件： 影响： 说明：MOS管体二极管的正向导通压降 测试条件：在VGS=0V，体二极管正向通过1A的电流。 影响： 说明：体二极管可承受最大连续续电流 测试条件： 影响：如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP，OLP（逐周期电流限制保护（OCP)，限制最大输出电流；过载保护(OLP)，限制最大输出功率；） 的过程中会引起电流击穿的风险 说明： Ciss=Cgs+Cgd 输入电容 Coss=Cds+Cgd 输出电容 Crss=Cgd（米勒电容） 测试条件： 影响： Ciss：影响到MOS管的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通和关断时间就越慢，开关损坏也就越大。较慢的开关速度对应会带来较好的EMI Coss和Crss：这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能力的大小，对雷击测试项目有一点的影响。 说明： 测试条件： 影响： 说明： Qg：栅极总充电电量 Qgs：栅极充电电量 Qgd：栅极充电电量 tD（on）：漏源导通延迟时间 tr:漏源电路上升时间 tD（off）：漏源关断延迟时间 tf:漏源电路下降时间 测试条件： 影响：参数与时间相互关联的参数，开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。
说明：反向恢复时间 测试条件： 影响：该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。同时也加重了电路直通的风险 说明：反向恢复充电电量 测试条件： 影响：该参数与充电时间成正比，一般越小越好
A 说明：漏极单脉冲电流 测试条件：Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=175°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initial
TJ =25°C.
影响：反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，有电流击穿风险 说明： 测试条件： 影响： 说明： 测试条件： 影响： 说明： 测试条件： 影响： 说明： 测试条件： 影响： 说明： 测试条件： 影响：
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