本帖最后由 注销 于 2020-9-8 11:38 编辑
首先让我们来探究下，什么是带隙电压。
1、我们需要了解ADC测量的影响因素，举个简单的例子。
我们给单片机供电是2.8V，此时用ADC去测量一个1.3V，ADCRH最后得到的值，可能就是142.
如果单片供电是3.3V，这时候再去测量1.3V，ADCRH最后得到的值可能就不再是142了.
如果是5V，得到的数据可能更低。
以上这个简单的例子，相信已经能说明一个简单的问题，ADC得到的数据，会随着供电电压的改变而改变。为了解决这个问题，人们想出了使用外部基准的办法，大致的方法就是使用两个ADC通道，一个通道测量外部基准(如TI431)，一个通道进行对目标的测量。知道了基准值，就可以得到一个相对准确的测量值。但这种方法需要占用两个ADC通道，并且需要外部器件，成本较高。这时候就可以使用单片机内置的带隙电压了~ 2、带隙电压的构成。
大概如下图所示。R3/R4使用正负温度系数材料，是为了避免温度对分压电阻造成的影响，这样温差造成的影响可以进行互补，避免带隙电压不稳。
3、N76E003的带隙电压。 常温下，所有N76E003的Band-gap电压值会校准在1.17V ~ 1.27 V内。如果想要知道每颗N76E003的
Band-gap实际电压值，可以通过读取UID地址后的2个bytes值来确认。 UID 后的2个bytes储存Band-gap
的实际值，总共12个有效bit。第一个byte是高8位，第二个byte的低4位为12 bit的低4位。
由上所知，我们知道了N76间隙电压大致范围，以及UID中存储着实际数据，接下来我们将在程序中看下，如何得到间隙电压。（以下程序源自新唐官方例程修改）
需要注意的是： 对于N76E003，为了得到更准确的内部带隙电压(band-gap)输入ADC转换值，建议在读取时，放弃模块使能
后的头三笔资料。而后，只要不关闭ADC模块， ADC转换结果都是如规格所列。提醒：程序中如果关闭
了ADC模块，请记得下次打开时，需要再次丢弃3笔。
计算ADC时，通常使用以下公式
实际电压X=测量值Y（VDD/4096）
根据上式，计算带隙电压与测量到的带隙电压的比值，然后12bit深度4096，就可以得到当前的VDD电压，如下式
VDD=4096（UID中的带隙电压/ADC测量得到的带隙电压）
故有
VDD/4096=（UID中的带隙电压/ADC测量得到的带隙电压）
令（UID中的带隙电压/ADC测量得到的带隙电压）=Coe
实际电压X=测量值Y * Coe
用上式的比例系数，在普通测量时，就可以用修来正测量值，当然你也可以用带隙电压来推算VDD值。 程序的大概流程，先使用 READ_BANDGAP();函数，得到UID中的带隙电压，再通过ADC测量一次带隙电压，最终得到Coe（系数），后使能相关ADC通道，在中断中，测量值*Coe得到修正的数据。
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