PNP三极管导通条件

只看该作者 · 2020-11-4 23:20

各路大神您们好，新人报到请多关照。请问上图中Q3Q6Q1怎么导通？个人疑惑点为Q6作为PNP管，导通条件Vbe应该为-0.7V。实际仿真时其Vbe压差远达不到-0.7V（见探针电压），但Q1（PMOS管）且导通了（图中电压为5v证明Q1导通），这是怎么回事？能否分析下？

只看该作者 · 2020-11-5 17:35

本帖最后由 MianQi 于 2020-11-5 17:45 编辑

1、探针接地了吗？
2、R4是不是4.7Kohm？
3、Q5和Q6的上下顺序换一下怎么样？

只看该作者 · 2020-11-5 18:29

Q5不导通的情况下，相当于Q1/Q4栅极相当于绝缘，直流长时间情况下：Q6 be 有uA级的电流就可以使Q1栅极充电导通，uA级电流的Q6的Vbe是很低的；

只看该作者 · 2020-11-5 23:45

sjnh 发表于 2020-11-5 18:29
Q5不导通的情况下，相当于Q1/Q4栅极相当于绝缘，直流长时间情况下：Q6 be 有uA级的电流就可以使Q1栅极充电 ...

您好，按照你提供了思路：我对MOS作了仿真测试，当PMOS的G极悬空时，MOS被导通

只看该作者 · 2020-11-5 23:50

MianQi 发表于 2020-11-5 17:35
1、探针接地了吗？
2、R4是不是4.7Kohm？
3、Q5和Q6的上下顺序换一下怎么样？

您好，仿真软件默认探针时接地的，不需要人为接地。R4时4.7R，因为不用考虑NPN导通情况，我们目前主要时考虑PNP导通的情况。因为这是实际应用的电路，所以这个电路是问题不大的，个人觉得不用换也没关系，目前按照楼下的思路去作了仿真，应该是可以确认是由于PMOS的G极在高阻抗或悬空时，本身就会导通的缘故。当然需要实际去验证下