003芯片,请问有没哪位是没用到擦写Flash也出现程序丢失的?

只看该作者 · 2020-11-11 15:36

本帖最后由芯圣电子官方QQ 于 2023-7-25 09:09 编辑

从一开始就一直有程序丢失的问题.
问过技术支持,说是程序里用了读写内部FLASH模拟EEPROM保存数据的功能,然后低电压(上电断电)程序跑飞到擦写的位置...
解决办法:
1.读写Flash前判断电压；
2.LVD设置2.0V以上,越高越好；
3.烧录Option设置页读写保护.
这样做之后,确实有改善,丢失程序问题从百分之十降到千分之几,但是还是达不到正常生产要求.

我现在准备外加EEPROM保存数据试试.
请问有没哪位是没用到擦写Flash也出现程序丢失的?如果有就说明加外置EEPROM也没用,我也不用再拿几K产品去赌了.

2万 · 2020-11-11 15:44

最好硬件增加LVD检测，LVD门限高一些，电源滤波电容大一些。
程序区域必须写保护，防止意外改写。
我一般平时不写内部FLASH模拟的EEPROM，只在掉电前写，数据分2个区域，即使来不及写，还有一个备份可以恢复。

只看该作者 · 2020-11-19 15:19

增加LVD检测，LVD门限高一些，电源滤波电容大一些

只看该作者 · 2020-11-26 10:23

感觉是芯片的设计问题。我无论是在3V 5V 12V-LDO-5V 应用中都出现程序丢失的情况。电路中有大电容，有TVS 有100nf滤波，有各种对电源的处理。但是就是会出现程序丢失的情况，被这个芯片害死了。
技术支持让我把LVD设置为3V。也就是说，如果我客户用3V环境，就无法工作了。简直就是败笔。

2万 · 2020-11-26 10:37

如果FLASH区域写保护，只操作EEPROM区域，FLASH也会掉程序，那肯定是芯片的设计BUG，还是放弃了好。
有问题的芯片，批量会害死人的。

只看该作者 · 2020-11-26 14:35

看来国产芯片在各方面的确还是有待提高完善啊

只看该作者 · 2020-11-27 18:42

我今天测试的：
1. LVD设置3V。BOR设置2.6V.
2. 存储采用双区域地址存储，CRC校验。
3. 读写flash之前，都判断了LVD。

然而，当我通断电测试，十几下就出现了读flash数据不正常的现象。具体为我的0X55都读不到，或者CRC校验不对。又继续测试，大约半分钟，又出现了。又继续测试，现在半小时了，还没出现问题。。。。