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一、理想电容器 理想电容器的阻抗Z公式为：
Z = 1 j w c = 1 j 2 π f c Z=\frac1{jwc}=\frac1{j2πfc}Z=jwc1=j2πfc1
理想电容器
阻抗大小|Z|如下图所示，与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗，故等效串联电阻(ESR)为零。
理想电容器的频率特性
在了解电容实际模型之前，先了解几个概念。 二、容抗电容两个重要特性，一个是隔直通交，另一个是电容电压不能突变，如下是百度百科对容抗的解释。
容抗与电容的大小和频率成反比，也就是说，在同频率下，电容越大，容抗越小；在同电容下，频率越高，容抗越小。电容上的电压滞后于电流，所以对容抗开始，相移是-90° 如何理解容抗与电容大小和频率成反比呢？ 下面是一个RC一阶低通滤波器，VF2通过R1电阻对电容C进行充电，VF2的电势加在电容C的两个金属极板上，正负电荷在电势差作用下分别向电容的两个极板聚集而形成电场，这称为“充电”过程。若将VF2拿掉，在VF1上加一个负载，电容两端的电荷会在电势差下向负载流走，这称为“放电”过程。（流过电容的电流并不是真正穿过了极板的绝缘介质，指的是外部的电流）
衡量电容充电的电荷数是Q QQ，Q = C V Q=CVQ=CV，C CC是常量，所以电荷数和电压呈正比。C = Q / V C=Q/VC=Q/V，电容量代表电容储存电荷的能力。微分表达式为C = d Q ( t ) / d V ( t ) C=dQ(t)/dV(t)C=dQ(t)/dV(t)，电流是单位时间内电荷数的变化量，所以i ( t ) = d Q ( t ) / d t i(t)=dQ(t)/dti(t)=dQ(t)/dt，可得到i ( t ) = C ∗ d v ( t ) / d t i(t)=C*dv(t)/dti(t)=C∗dv(t)/dt，可以得到电容上的电流和电压的变化量是呈正比的，或者是电容上电压的变化量和电流是呈正比的。 即在电压一定时，电容越大，单位时间内电路中充、放电移动的电荷量越大，电流越大，所以电容对交变电流的阻碍作用越小，即容抗越小。在交变电流的电压一定时，交变电流的频率越高，电路中充、放电越频繁，单位时间内电荷移动速率越大，电流越大，电容对交变电流的阻碍作用越小，即容抗越小。 容抗用X C X_{C}XC表示，公式如下，f ff是频率，C CC是容值，也会写成X C = 1 w c X_{C}=\frac1{wc}XC=wc1（w = 2 π f w=2πfw=2πf），所以容抗可以用如下的公式表示：
X C = 1 2 π f c X_{C}=\frac1{2πfc}XC=2πfc1 三、感抗如下是百度百度对感抗的解释，电感的特性是隔交通直，与电容是相反的；所以说容抗和感抗的性质和效果几乎正好相反，而电阻则处在这两个极端中间，电阻的阻值和信号频率无关。
感抗与电感的大小和频率成正比，也就是说，在同频率下，电感越大，感抗越大；在同电感下，频率越大，感抗越大。电感上的电压是超前电流的，所以对感抗而言，相移是+90° 感抗用X L X_{L}XL表示，f ff是信号频率，L LL是感值，也会写成X L = w L （ w = 2 π f ） X_{L}=wL（w=2πf）XL=wL（w=2πf）
所以感抗的公式可以用如下表示： X L = 2 π f L X_{L}=2πfLXL=2πfL 四、实际等效模型理想的电容器在实际中是不存在的，电容的实际模型是一个ESR串联一个ESL，再串联一个电容，ESR是等效串联电阻，ESL是等效串联电感，C是理想的电容。
感抗和容抗又被称为电抗，电路的阻抗Z ZZ由电阻R RR和电抗X XX组成，所以上述模型的复阻抗为：
Z = E S R + j 2 π f E S L + 1 j 2 π f c = E S R + j （ 2 π f E S L − 1 2 π f c ） Z=ESR+j2πfESL+\frac1{j2πfc}=ESR+j（2πfESL-\frac1{2πfc}）Z=ESR+j2πfESL+j2πfc1=ESR+j（2πfESL−2πfc1） 1、2 π f E S L < < 1 2 π f c 2πfESL<<\frac1{2πfc}2πfESL<<2πfc1时，电容器表现为容性； 2、2 π f E S L > > 1 2 π f c 2πfESL>>\frac1{2πfc}2πfESL>>2πfc1时，电容器表现为感性，因此会说“高频时电容不再是电容”，而呈现为电感，这个电感不是说电容变成了电感，而是指此时的电容拥有了与电感类似的特性。 3、2 π f E S L = 1 2 π f c 2πfESL=\frac1{2πfc}2πfESL=2πfc1时，此时容抗矢量等于感抗矢量，电容的总阻抗最小，表现为纯电阻特性，此时的f ff称为电容的自谐振频率。
自谐振频率点是区分电容是容性还是感性的分界点，高于谐振点时，“电容不再是电容”，因此退耦作用将下降。实际电容器都有一定的工作频率范围，在工作频率范围内，电容才具有很好的退耦作用。E S L ESLESL是电容在高于自谐振频率点之后退耦功能被消弱的根本原因。 下图是实际电容器的频率特性。
五、品质因数1、品质因数的定义
Q = W r ∗ 最 大 储 存 能 量 / 损 耗 功 率 Q=W_r*最大储存能量/损耗功率Q=Wr∗最大储存能量/损耗功率 2、串联RLC 电容的等效模型实际是串联RLC，RLC的电流I是一样的，U不同，最大储存能量为电感L或电容C上的能量，电感上能量为L ∗ I 2 L*I^2L∗I2，电容上能量为C ∗ U c 2 C*U_c^2C∗Uc2（电容上电压有效值U c = I ∗ 1 / W r C U_c=I*1/W_rCUc=I∗1/WrC），损耗功率是R ∗ I 2 R*I^2R∗I2，所以可得：Q = W r L R = 1 W r C R Q=\frac{W_rL}{R}=\frac1{W_rCR}Q=RWrL=WrCR1 3、并联RLC 并联电流中，R、L、C的电流I不同，电压U相同，电感L上能量为L ∗ I L 2 L*I_L^2L∗IL2，电容上能量为C ∗ U 2 C*U^2C∗U2，损耗功率为U 2 / R U^2/RU2/R，所以可得：Q = W r C R = R W r L Q=W_rCR=\frac{R}{W_rL}Q=WrCR=WrLR
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