单向可控硅的失效

发表于 2009-4-5 21:23

请问这里有知道单向可控硅模式妈。 一个可控硅的工作电流为0.5A，但用在瞬间的4A上有没有可能会容易损坏。

发表于 2009-4-5 21:41

芯片资料上有说脉冲的最大电流

发表于 2009-4-5 22:07

可控硅和整流二极管一样，抗电流冲击能力很强的。

发表于 2009-4-6 11:17

所以不建议这么用，瞬态指标不能超出器件的极限值，可控硅手册中（要详细版的）会有说明。     另外注意，在论坛提问获得帮助不是你应得的，只是你的运气而已，所以注意提问的措辞，优秀是一种习惯，是需要养成的。

发表于 2009-4-7 15:40

我说的可控硅是BT169D,资料上说的是不可重复电流9A,我算了一下产品实际大概是4.5A,时间为0.2秒内. 对不起,字打错了。 我的产品在这种情况的使用下，外面退回的有可控硅击穿的，我就想是不是这种使用会出现可控硅击穿。但还要一个要说的是一个地方出现可控硅击穿，往往这个地方有多台产品可控硅击穿，是不是外部原因呢。但外部原因又是什么情况会使可控硅击穿但又没有看到表面任何的损坏痕迹。

发表于 2009-4-7 15:49

如果是击穿，在可控硅耐压选择合适的前提下，主要是由于感性负载在电路上处理不当所致。

发表于 2009-4-7 21:55

发表于 2009-4-10 15:58

我曾经也遇到和你类似的问题，困扰了很久，不同批次的bt169，使用起来损坏率不一样，一直在强求供货商供给正品，可最后搞得很辛苦，后来换成2A的可控硅性能好的不得了，一切问题都没了！成本也只贵了0.2元！

发表于 2009-5-19 23:25

请问你用的是什么可控硅,是用在什么产品上的,我的是用在漏电断路器上的

单向可控硅的失效

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晕

看这个“瞬间”有多大

这还与具体型号、制造工艺有关，没有统一的指标

BT169D

过流烧毁和击穿是两个截然不同的概念

有这个可能

别强求原因了

to houniao88

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