IQE013N04LM6CG
IQE013N04LM6CG是英飞凌一款创新的OptiMOS™源极底置（Source-down）40V低压功率MOSFET，PQFN 3.3x3.3封装尺寸，门极居中封装形式，导通电阻1.35mΩ。这种业界一流的功率MOSFET在终端应用中极大地提高了功率密度，减小了芯片面积。该器件设计的目标是突破最小PCB面积需要的限制，实现人机工程学设计优化，并改善终端用户体验。IQE013N04LM6CG可将逆变器从手柄移动到顶部，将电动工具电机外壳的体积减到最小，同时还能将工具的扭矩保持在合理的较高水平，以便快速、轻松地进行操作，提升工作效率。
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