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[其它应用] 类EEPROM可擦写多少次？

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zwll 发表于 2021-1-18 22:04 | 显示全部楼层
向EEPROM种写入数据实际上是一个烧写的过程，对EEPROM具有一定的破坏性
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chuxh 发表于 2021-1-18 22:08 | 显示全部楼层
EEPROM运行中可以擦除，并可以写入新的数据，不然它就没必要采用EEPROM了。
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stly 发表于 2021-1-18 22:13 | 显示全部楼层
IIC EEPROM可擦写100万次   
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pengf 发表于 2021-1-18 22:16 | 显示全部楼层
只是理论值。实际达不到100万次。   
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houcs 发表于 2021-1-18 22:18 | 显示全部楼层
EEPROM读次数无限制 而写的次数却在百万次以下
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wangpe 发表于 2021-1-18 22:20 | 显示全部楼层
曾经在调试代码的时候方晶while(1)里头直接运行，不过几秒后就取消，至今仍然使用
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 楼主| chenho 发表于 2021-1-18 22:28 | 显示全部楼层

明白了，多谢大家讨论这么多哈
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二次圆根 发表于 2021-1-19 14:35 | 显示全部楼层
一般都是10万次的 当然不是准确数
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凯复Kane 发表于 2021-1-19 23:45 | 显示全部楼层
eeprom会比flash多 大概是20万以上吧 flash10万？ 不记得了
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Jobs的梨子 发表于 2021-1-19 23:55 | 显示全部楼层
是哪个板子的rom啊
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x史可法 发表于 2021-1-20 22:12 | 显示全部楼层
是中颖的芯片吗 还是不错 次数肯定够用
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一刀一级 发表于 2021-1-21 12:29 | 显示全部楼层


10万次官方标称
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zhengshuai888 发表于 2021-1-21 19:39 来自手机 | 显示全部楼层
用flash模拟的？
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正圆椭圆 发表于 2021-1-21 23:09 | 显示全部楼层
最少也得到10万次吧 不然对比其它rom实在是没有别的优势了
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索尼法 发表于 2021-1-26 23:39 | 显示全部楼层
10万次最少吧 至少要比flash高
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函数不想导 发表于 2021-1-26 23:48 | 显示全部楼层
说的实在是太笼统 但是肯定够用
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lrhsx33 发表于 2021-1-27 16:19 | 显示全部楼层
很多MCU都会缩水，建议打骨折（1/10），有条件的话MCU记得换页。
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氧化二氢 发表于 2021-1-27 23:37 | 显示全部楼层
看是哪种把 100万的都有
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串联烧烤 发表于 2021-1-28 23:44 | 显示全部楼层
放心 绝对够用
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伊桑黑 发表于 2021-1-29 23:43 | 显示全部楼层
类eeprom是eeprom吗
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