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类EEPROM可擦写多少次？

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楼主: chenho
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21楼
zwll| | 2021-1-18 22:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
向EEPROM种写入数据实际上是一个烧写的过程，对EEPROM具有一定的破坏性

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22楼
chuxh| | 2021-1-18 22:08 | 只看该作者
EEPROM运行中可以擦除，并可以写入新的数据，不然它就没必要采用EEPROM了。

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23楼
stly| | 2021-1-18 22:13 | 只看该作者
IIC EEPROM可擦写100万次   

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24楼
pengf| | 2021-1-18 22:16 | 只看该作者
只是理论值。实际达不到100万次。   

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25楼
houcs| | 2021-1-18 22:18 | 只看该作者
EEPROM读次数无限制 而写的次数却在百万次以下

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26楼
wangpe| | 2021-1-18 22:20 | 只看该作者
曾经在调试代码的时候方晶while(1)里头直接运行，不过几秒后就取消，至今仍然使用

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27楼
chenho|  楼主 | 2021-1-18 22:28 | 只看该作者

明白了，多谢大家讨论这么多哈

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28楼
二次圆根| | 2021-1-19 14:35 | 只看该作者
一般都是10万次的 当然不是准确数

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29楼
凯复Kane| | 2021-1-19 23:45 | 只看该作者
eeprom会比flash多 大概是20万以上吧 flash10万？ 不记得了

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30楼
Jobs的梨子| | 2021-1-19 23:55 | 只看该作者
是哪个板子的rom啊

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31楼
x史可法| | 2021-1-20 22:12 | 只看该作者
是中颖的芯片吗 还是不错 次数肯定够用

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32楼
一刀一级| | 2021-1-21 12:29 | 只看该作者


10万次官方标称

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33楼
zhengshuai888| | 2021-1-21 19:39 | 只看该作者
用flash模拟的？

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34楼
正圆椭圆| | 2021-1-21 23:09 | 只看该作者
最少也得到10万次吧 不然对比其它rom实在是没有别的优势了

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35楼
索尼法| | 2021-1-26 23:39 | 只看该作者
10万次最少吧 至少要比flash高

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36楼
函数不想导| | 2021-1-26 23:48 | 只看该作者
说的实在是太笼统 但是肯定够用

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37楼
lrhsx33| | 2021-1-27 16:19 | 只看该作者
很多MCU都会缩水，建议打骨折（1/10），有条件的话MCU记得换页。

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38楼
氧化二氢| | 2021-1-27 23:37 | 只看该作者
看是哪种把 100万的都有

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39楼
串联烧烤| | 2021-1-28 23:44 | 只看该作者
放心 绝对够用

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40楼
伊桑黑| | 2021-1-29 23:43 | 只看该作者
类eeprom是eeprom吗

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