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GD32F103RET6待机模式功耗过高

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 楼主 | 2021-3-3 15:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
近期为了省成本,公司决定将MCU由STM32更换为GD32,测试过程中,发现如下问题
1:测试休眠功耗的时候,发现待机电流过高,达到15mA;对比STM32,待机状态下,功耗只有1mA;
2:使用J-link擦除GD32程序,上电之后,功耗有20mA; 对比STM32,擦除芯片程序之后,上电功耗只有5mA;

待机程序应该没问题,对比了STM32和其它网友分享的案例,没发现什么问题
/**************系统进入待机模式**********/
void Sys_Enter_Standby(void)
{       
        RCC_APB2PeriphResetCmd(0X01FC,DISABLE);                                //复位所有IO口
        RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);        //使能PWR外设时钟
       
        PWR_ClearFlag(PWR_FLAG_WU);                                                //清除唤醒标志 20180523
        PWR_WakeUpPinCmd(ENABLE);                                                  //使能唤醒管脚功能  
        PWR_EnterSTANDBYMode();                                                  //进入待机(STANDBY)模式
}

void PWR_EnterSTANDBYMode(void)
{
  /* Set SLEEPDEEP bit of Cortex System Control Register */
  SCB->SCR |= SCB_SCR_SLEEPDEEP;
  /* Select STANDBY mode */
  PWR->CR |= PWR_CR_PDDS;       
  /* Clear Wake-up flag */
  PWR->CR |= PWR_CR_CWUF;

/* This option is used to ensure that store operations are completed */
#if defined ( __CC_ARM   )
  __force_stores();
#endif
  /* Request Wait For Interrupt */
  __WFI();
}

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 楼主 | 2021-3-3 15:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 dujunqiu 于 2021-3-3 15:23 编辑

读了一下三块芯片的UID,发现还挺正常的
[GD32] UID: 30451B67-5343932-35323647  --3
[GD32] UID: 3045837A-4343932-35323647  --2
[GD32] UID: 30458378-4343932-35323647  --1

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 楼主 | 2021-3-3 15:25 | 显示全部楼层
对比这个楼主的,好像也遇到了GD芯片功耗过高的问题
https://bbs.21ic.com/icview-3049246-1-1.html

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| 2021-3-3 19:42 | 显示全部楼层
功耗问题还是一个大问题,不过对于功耗要求不高的地方,可以接受的。

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| 2021-3-4 09:27 | 显示全部楼层
GD的103系列MCU,部分io口有漏电现象。建议挨个排查下

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| 2021-3-4 10:17 | 显示全部楼层

GD的103系列MCU,部分io口有漏电现象。建议挨个排查下

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| 2021-3-4 10:18 | 显示全部楼层

GD的103系列MCU,部分io口有漏电现象。建议挨个排查下

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| 2021-3-4 10:18 | 显示全部楼层

GD的103系列MCU,部分io口有漏电现象。建议挨个排查下

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 楼主 | 2021-3-4 15:19 | 显示全部楼层
搞定了~还是要翻看STM32的数据手册,GD的手册不完整
待机模式.jpg

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dujunqiu 2021-3-4 15:20 回复TA
在需要控制的IO口,进入待机模式之后,需要在硬件上面增加 上拉或者下拉 电阻 
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