第二部分：实现对CH32V103芯片内部Flash的控制

1万 · 2021-8-12 23:49

上锁与解锁，上锁就是操作FLASH->CTLR寄存器，赋值为CR_LOCK_Set，而解锁便是两次往FLASH->KEYR 写入FLASH_KEY1与FLASH_KEY2的值。需要注意的是每次操作内部FLASH都需要解锁，操作完成后再对内部FLASH上锁。

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void FLASH_Lock(void)

{

  FLASH->CTLR |= CR_LOCK_Set;

}



void FLASH_Unlock(void)

{

  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;

  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;

}

1万 · 2021-8-13 00:02

页擦除与全片擦除，一般在烧录前会对芯片进行部分擦除或者全片擦除，这个根据需求来调取函数，具体分析大家可以参考FLASH相关的寄存器。

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FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)

{

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); 

  if(status == FLASH_COMPLETE)

  { 

    FLASH->CTLR|= CR_PER_Set;

    FLASH->ADDR = Page_Address; 

    FLASH->CTLR|= CR_STRT_Set;

status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

    FLASH->CTLR &= CR_PER_Reset;

  }

  *(__IO uint32_t*)0x40022034 = *(__IO uint32_t*)((Page_Address & 0xFFFFFFFC) ^ 0x00001000);

  return status;

}



FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void)

{

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)

  {

     FLASH->CTLR |= CR_MER_Set;

     FLASH->CTLR |= CR_STRT_Set;

    status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

    FLASH->CTLR &= CR_MER_Reset;

  }

  return status;

}

1万 · 2021-8-13 20:26

Falsh写字和半字操作，无论是写字和半字需要注意的是，写之前需要打开写保护。

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FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)

{

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)

  {

    FLASH->CTLR |= CR_PG_Set;

    *(__IO uint16_t*)Address = Data;

    status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

    FLASH->CTLR &= CR_PG_Reset;

  } 

        *(__IO uint32_t*)0x40022034 = *(__IO uint32_t*)((Address & 0xFFFFFFFC) ^ 0x00001000);

  return status;

}



FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)

{

  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  __IO uint32_t tmp = 0;

  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)

  {

    FLASH->CTLR |= CR_PG_Set;

    *(__IO uint16_t*)Address = (uint16_t)Data;

    status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

    if(status == FLASH_COMPLETE)

    {

      tmp = Address + 2;

      *(__IO uint16_t*) tmp = Data >> 16;

      status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

      FLASH->CTLR &= CR_PG_Reset;

    }

    else

    {

      FLASH->CTLR &= CR_PG_Reset;

    }

  }   

  *(__IO uint32_t*)0x40022034 = *(__IO uint32_t*)((Address & 0xFFFFFFFC) ^ 0x00001000);

  return status;

}

1万 · 2021-8-13 21:32

Falsh读操作就更加简单了，我们只需要定义一个指针，指向我们想要读取的Falsh地址就可以了，大致就如下所示：

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#define  FLASH_READ_START_ADDR      ((uint32_t)0x08010000) 

uint32_t  ReadData =  *(__IO uint32_t*) FLASH_READ_START_ADDR;

只看该作者 · 2022-10-10 17:38

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