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[技术讨论]

MCU损坏可能是什么原因？

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楼主: 北海326
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41楼
大秦正声| | 2021-8-24 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
北海326 发表于 2021-8-24 09:11
目前测量了几个坏了的芯片，它们的AD脚对地电阻分别是1.4-4.5K之间，正常的芯片也量了五六个，都是这个范 ...

现在初步判断就是台湾的ldo芯片质量不好，过冲电压损坏芯片。还有你的电池电压是变化的，应该不是固定的30伏！

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42楼
北海326|  楼主 | 2021-8-24 09:30 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2021-8-21 23:59
楼上都说完了。我总结下。
出货1000，坏了7个。
ems分为电源部分和信号部分。

原先的设计，需要考虑低功耗，所以用的都是M级别的电阻。板子做好之后，客户不用考虑低功耗了，想改都来不及了。

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43楼
北海326|  楼主 | 2021-8-24 09:31 | 只看该作者
大秦正声 发表于 2021-8-24 09:20
现在初步判断就是台湾的ldo芯片质量不好，过冲电压损坏芯片。还有你的电池电压是变化的，应该不是固定的3 ...

是的，不是固定的30V。原来打算用AMS1117-5.0，但是客户要求低功耗，所以改用了HT7350。没想到，后面客户又说不考虑低功耗了。。。。

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44楼
大秦正声| | 2021-8-24 11:37 | 只看该作者
看了一下手册，把输入电压降低到7伏左右也可以减少过冲。

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45楼
叶春勇| | 2021-8-24 12:52 | 只看该作者
北海326 发表于 2021-8-24 09:30
原先的设计，需要考虑低功耗，所以用的都是M级别的电阻。板子做好之后，客户不用考虑低功耗了，想改都来 ...

我基本说完，主要是大电阻的esd问题，无非搞几个串就是了。

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46楼
xxx1111| | 2021-8-25 17:47 | 只看该作者
1.LDO电压
2.ADC采样口
3.芯片ESD不行

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47楼
明和研翔芯片| | 2022-4-18 10:54 | 只看该作者
大秦正声 发表于 2021-8-20 13:11
楼主用的价格便宜芯片，电源设计比较合理，30伏转5伏通常使用dc dc芯片，或者多级ldo 降压。 ...

我司的LDO，内置防过冲保护电路，可防止开/关瞬间的输出电压冲击，避免负载端MCU器件等 受冲击损坏。 有需要的话，可以加我QQ：3341254367 ，我发规格书资料给您看看。

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48楼
明和研翔芯片| | 2022-4-18 11:02 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-8-19 22:46
220Ω能大就大，=4.8/Imax。


请看上图 ↑
我司的高压LDO 内置防过冲保护电路，可以防止 上电开/关瞬间的输出过冲，有效避免负载端MCU等器件 受电压冲击损伤，延长元器件使用寿。
如有需要，可以加我QQ：3341254367，可提供详细规格书。

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49楼
明和研翔芯片| | 2022-4-18 11:04 | 只看该作者


请看上图 ↑
我司的高压LDO 内置防过冲保护电路，可以防止 上电开/关瞬间的输出过冲，有效避免负载端MCU等器件 受电压冲击损伤，延长元器件使用寿。
如有需要，可以加我QQ：3341254367，可提供详细规格书。

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50楼
gx_huang| | 2022-4-19 14:28 | 只看该作者
凡是LDO，PMOS或者PNP输出管子，很容易导致不稳定，不同场合上电瞬间过冲输出。
7805之类的，不会有这种问题，他不是LDO。

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