本帖最后由 JackTang1994 于 2021-9-22 13:59 编辑
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示例代码:
15213test.X.zip
(277.89 KB)
查看手册
查看数据手册,了解时钟源的设置。发现需要设置时钟需要RSTOSC(复位时钟选择),查找RSTOSC位找到它属于CONFIG1配置字节的Bit[5:4]。所以如果需要切换时钟则应该CONFIG1配置字进行修改。但是CONFIG1不是普通寄存器,无法通过操作寄存器的方式对其他修改。
时钟配置寄存器
控制时钟源的配置字CONFIG1
查看第15章NVM节,发现如果需要对系统的配置字进行操作需要对相应的Flash区域进行写操作。
Flash相关配置字区域操作
这里使用操作CONFIG1区域,此地址为0x8007,NVMCON1位为1
使用MCC添加Memory配置
CONFIG1属于NVMCON1位为1的区域,所以在memory.c文件中,我们使用void DATAEE_WriteByte(uint16_t bAdd, uint16_t bData)和uint16_t DATAEE_ReadByte(uint16_t bAdd)函数。下图为配置字所对应的地址:
编写代码
在main.c文件中添加如下代码完成时钟切换
cfg_value = DATAEE_ReadByte(CONFIG1_ADDR);
if((cfg_value & 0x30) != 0x10)
{
cfg_value |= (1 << 4);
cfg_value &= (~(1 << 5));
DATAEE_WriteByte(CONFIG1_ADDR,cfg_value); // Set RSTOSC[1:0] reset Oscillator Source Select
NOP();
NOP();
NOP();
NOP();
NOP();
OSCCON |= (1 << 4);
OSCCON &= (~(1 << 5)); // Set COSC[1:0] Current Oscillator Source 31kHZ
OSCEN |= (1 << 4); // enable LFINTOSC
NOP();
NOP();
NOP();
NOP();
NOP();
如需对FLASH区域进行读写操作,使用memory.c文件中另外4个关于Flash操作函数即可。
测试代码:
value = FLASH_ReadWord(0x06F0); // 从FLASH的0x06F0地址处读取数值
if( value != 0xAA) // 如果不是0XAA,则将0XAA写入到0x06F0处
{
FLASH_WriteWord(0x06F0,my_dataArr,0xAA);
}
value = FLASH_ReadWord(0x06F0); //再次读取出来,以确认已经写入到FLASH的0x06F0处
if( value == 0xAA)
{
flag = 1;
}
说明:
关于配置字区域与FLASH区域的区别,在Table 15-1. NVM Organization and Access Information表中的NVMREGS bit
(NVMCON1)列,当此列值为1时表示为系统的配置字,使用memory.c文件中的DATAEE_WriteByte、DATAEE_ReadByte函数操作,0表示FLASH区域使用另外4个函数操作。
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