本帖最后由 qbwww 于 2021-11-21 23:10 编辑
PI 氮化镓65W PD充电器评测,使用Innoswich pro3368和3365
一、外观和上电
大家好,我是qbwww。很高兴参加此次PI 氮化镓 65W PD充电器的评测。
收到快递,我们拆开看一下。
AC端接个插头。
上电测试,输出端电压3V,这是pd 协议的原因。充电头需要一个触发电压的协议,充电头才能输出相应的电压。
我们引出两根导线,一根正极和一个负极。通电测试。
二、工作原理
左下角的L和N是交流电(AC)的火线和零线。
F1位置是一个2.5A的保险丝,主要作用是在元件发生严重故障时提供保护。
LF1是一个80uH的电感(共模扼流圈),它是用来减少电磁干扰(EMI)的。
CX1是一个0.1uF的电容,同样也是用来减少电磁干扰(EMI)的。它减少的是差模噪声。
BD1是整流桥,主要用来把交流电变成直流电。
后面的EC1,EC2,EC3,EC4是滤波电容,主要是用来把全桥整流的电压进行滤波,使电压更平稳。
下面我们看T1变压器,T1有三组线圈。
左上是初级绕组,左下是辅助绕组,右边是次级绕组。
初级绕组一端接正极,另一端接Inn3368的漏极。
INN3368芯片里面有三个主要器件。
一个mos管和两个控制器,
两个控制器分别负责高压和低压区的控制。
高压和低压区芯片内部有电气隔离。
3368一个芯片集成了一个mos管和两个控制芯片。这样可以大大的减少元器件的数量。
二极管D4,电容C3,电阻R10和R18。
主要用来控制尖峰电压。
mos管在开关瞬间会有一个极高的尖峰电压。他们的作用就是用来降低这个电压。
通电初始,U1高压控制器会从3368内部的mos管D极取电,
通过稳压器件给C24充电,之后启动BPP。
控制器正常工作后,INN3368内部mos导通时,
BPP将会改从辅助绕组取电。BPP是初级控制器的供电。
辅助绕组的二极管D2和电容C12,负责整流和滤波,把交流变为直流。
BPP从mos管取电完成后,Q1导通,之后就用辅助绕组供电了。
在INN3368左下第三条线是V脚,主要用来检测电压,
可以通过它来进行低压和超压的保护。
图中V接地代表超压和低压保护禁用。
次级绕组。一端接输出,一端接mos管整流,
电容EC5负责整流后的滤波。
R14接FWD负责电压检测。
IS和地之间接了电阻,负责检测电流。
BPS是低压区控制器的供电。
SCL是I2C的时钟线,SDA是数据线。
负责与协议芯片2738进行通信。
Q6,Q8分别控制两个C口的正极输出。
Q7,Q5负责两个变压器电压的整合和断开。
主要用来控制单口工作和双口共同输出。
IP2738是充电协议芯片,支持的充电协议如下。
三、测试
1、单C口最大功率测试,测试条件AC230V。分别测试5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V3.25A的输出功率。
充电器最大的作用就是充电。这项测试的目的就是看看这个充电器能否达到设计要求。满足平常的充电使用。功率是否足够。
测试结果:可以达到最大65W的单口输出功率,在低电压5V等的大功率测试中电压会下降。
2、INN3368C和INN3365C漏极最大电压测试。
测试条件:AC264V,DC20V3.25A。24脚(漏极)。
INN336x系列的mos管导通电压为650V。mos管漏极最大电压,不能超过导通电压的90%。
测试结果。最高电压在击穿电压的90%以内。
3、AON6220漏极最大电压测试。
测试条件:AC264V,DC20V3.25A。5、6、7、8脚(漏极)。
测试结果。T1侧的mos管最高电压超100V。
4、T1温升测试,测试条件:测试条件:AC264V,DC20V3.25A,室温18℃,通电2小时后取温度值。
测试结果,温升50摄氏度,因为没有外壳,温升偏低。
5、空载纹波电压(5V,9V,12V,15V,20V)测试。测试条件:AC230V。
纹波电压的情况代表着电源质量的好坏。纹波电压越低。电源供电情况越稳定质量就越好。
测试结果:400mv以内。
6、最大功率纹波电压(5V,9V,12V,15V,20V)测试。测试条件:AC230V。
测试结果:400mv以内。
7、功率转换效率的测试。
测试条件:AC230V,DC(5V,9V,12V,15V,20V),电流1A,2A,3A/3.25A。
在一些国家销售对功率转换效率有相应的规定。
测试结果:在90%以上,mos管整流效率高,成本高。
65W PD3.0 Multi-Ports Charger (2C_1C1A_2C1A) with IP2738 (Rev-1)..pdf
(5.09 MB)
AON6220 数据表.pdf
(323.9 KB)
innoswitch3-pro_family_datasheet_CN.pdf
(4.6 MB)
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