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RC复位电路时间计算

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lifenganhui|  楼主 | 2012-3-19 08:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
liqaz| | 2012-3-19 09:08 | 只看该作者
假设高电平复位有效,一充一放周期是1.386*RC,舍去充放过程中较低的电平,一般的单片机复位脉冲宽度取值:(0.7~1)RC 反正都是大概的,电平保持时间越长越好,电容大点好。

单位是:(R)*(C)=(欧姆)*(法拉)=秒

例如:R=470K,C=0.15UF 则延时
时间是(470*1000)*(0.15/1000000)
=0.0705秒

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板凳
peter_zheng| | 2012-3-19 09:49 | 只看该作者
1# lifenganhui 这是一个大概值,根据MCU对复位电平的保持时间要求而定,一般都是有推荐复位电路,470K+0.1uF

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地板
TI_MCU| | 2012-3-19 10:09 | 只看该作者
其实就是通过电容充电时间来计算,计算公式好像是 t = R x C x ln(E / (E - Vt + V0))
其中E是VDD电平,Vt这里可以取离开RST状态的电平值,根据器件手册决定~

有了上面的公式就可以选择RC值了。

但TI MCU一般都有建议值,在Datasheet里面可以找到。楼主也可以按照TI的开发板电路图设计,在TI主页可以找到

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老电工1979| | 2012-3-19 12:33 | 只看该作者
:)

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