[电源] 宽禁带半导体的优点

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anrui2021|  楼主 | 2021-11-12 10:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比,宽禁带半导体的优点更加的突出。
宽禁带半导体主要具有以下四种优点:
1.宽禁带半导体材料具有较大的禁带宽度以及很高的击穿电场强度,使得宽禁带器件能够承受的峰值电压大幅度提高,器件的输出功率可获得大规模提升;
2.宽禁带材料具有高热导率、高化学稳定性等优点,使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作,可极大提高系统的稳定性与可靠性;
3.宽禁带材料抗辐射能力非常好,在辐射环境下,宽禁带器件对辐射的稳定性比Si器件高10至100倍,因此是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料;
4.宽禁带半导体器件的结温高,故在冷却条件较差、热设计保障较差的环境下也能够稳定工作。
据我所知,这些品牌的产品大多数具有以上优点,比如:AVAGO、 IDT、TI、AD、INTERSIL、REI、QP、Q-TECH、MSC、IR 等。笔者入行不久,还在循序渐进的学习中,欢迎大家评论区探讨呢。

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jameswangchip| | 2021-11-12 12:45 | 显示全部楼层
西安电子科技大学副校长郝跃院士 2018年在很多学术会议有谈到宽禁带半导体材料,今年国内举办的宽禁带半导体材料学术会议很多。基础性研究会带动整个产业链发展。

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