超出内存还能存储

发表于 2021-11-13 21:50

大内存故障. 上面有人说了

发表于 2021-11-13 21:52

ram是连续的, 后面的功能被其他功能占用. 你写进去就崩了其他功能

发表于 2021-11-13 21:54

有熔丝,mask高位, 你写超出实际写的是低位

发表于 2021-11-13 21:57

总线报错被忽略.写飞了.读不出来.

发表于 2021-11-13 22:02

很有可能不止512k。

发表于 2021-11-13 22:04

H750VB，FLASH标称128K，实测可以存2M。调试程序的时候，用一用，还是很爽的

发表于 2021-11-13 22:07

当然，量产的时候，还是要慎用，你不知道以后买的芯片里面会有多少FLASH。

发表于 2021-11-13 22:09

所以，还是按照手册来用，这样最保险。

发表于 2021-11-13 22:12

其实不止内存。
很早之前刚开始用STM32的时候，有一次搞错了芯片，F103焊成F101了。

发表于 2021-11-13 22:14

最经典的型号STM32F103RBT6，有4个定时器，72M主频。

发表于 2021-11-13 22:17

减配的型号是STM32F101，主频是36M，有3个定时器，没有TIM1。

发表于 2021-11-13 22:19

结果，所有的程序，按照103写的程序，都是好用的，可以在101上面正常运行，包括访问TIM1的程序。

发表于 2021-11-13 22:20

这样子操作，如果量产了，不会存在风险吗？？？？

发表于 2021-11-13 22:22

量产使用外挂的串行flash。STM32H750支持外挂QSPIflash存储器，而且可以地址映像。

发表于 2021-11-13 22:25

但是调试程序，外挂存储器极其不便。

发表于 2021-11-13 22:27

没明白楼主的意思

发表于 2021-11-13 22:29

不太可能吧

发表于 2021-11-13 22:35

超出了我的理解

发表于 2021-11-13 22:45

明白了，多谢大家讨论这么多哈

发表于 2021-11-14 09:23

赚到了，恭喜

[STM32F1] 超出内存还能存储