碳化硅MOS老烧

只看该作者 · 2022-2-12 18:00

本帖最后由六方晶碳于 2022-2-12 18:02 编辑

做了一个宽压电源，最高2500V，使用1700V碳化硅MOS串联驱动测试正常；但是使用耐压3.3KV的碳化硅MOS G2R1000MT33J 电源电压由0加载到700V（限流1A)左右就挂了，电压电压由0逐渐到2500V空载正常，使用1700V碳化硅MOS串联电源电压突然增加没有问题。

已经查找过很多原因，都不行，起初找到振荡电路上电与断电期间有不正常MOS驱动电压，加了欠压自锁电路后，就没有MOS异常驱动电压了；但是故障依旧，现在只知道1700V碳化硅MOS比这个耐操得多，实在找不到故障原因

关断时间20ns左右，零电流开，关断电流最大2.5A，G2R1000MT33J高温最大电流2A，较低温度3A，现在打算把最大电流调低至数百毫安，然后逐渐增大实验。

只看该作者 · 2022-3-1 17:33

你好，我司专注碳化硅MOS和模块的研发和生产厂家，可以技术支持

碳化硅产品手册.pdf (894.83 KB)

1万 · 2022-3-2 10:12

电源大牛跑哪去了

1万 · 2022-3-2 10:21

是开关电源或线性电源？把电路贴出来才好分析。

1万 · 2022-3-2 10:55

本帖最后由 xmar 于 2022-3-2 11:01 编辑

碳化硅mosfet与普通mosfet或IGBT比较：

1) 更高工作温度
SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构，其能带宽度可达2.2eV至3.3eV，几乎是Si材料的两倍以上。因此，SiC所能承受的温度更高，一般而言，SiC器件所能达到的最大工作温度可到600 °C。

2) 更高阻断电压
与Si材料相比，SiC的击穿场强是Si的十倍多，因此SiC器件的阻断电压比Si器件高很多：最高达10kV。

3) 更低损耗
一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且SiC器件导通损耗对温度的依存度很小，SiC器件的导通损耗随温度的变化很小，这与传统的Si器件也有很大差别。

4) 更快开关速度
SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的频率下工作。

综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。
在碳化硅mosfet的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。

只看该作者 · 2022-3-2 12:06

xmar 发表于 2022-3-2 10:21
是开关电源或线性电源？把电路贴出来才好分析。

不用了，找到原因了，还是驱动波形异常，只不过不是每次测试都出现，之前测试没有出现异常驱动波形；归根到底是干扰太强，dv/dt>100V/ns，di/dt>200A/us。

降低干扰强度很有限，只能提高电路抗干扰能力

碳化硅MOS老烧

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