AT32F425官方标称最高频率是96M，显然这个频率是为了照顾USB应用，定位更低一些的AT32F421最高频率为120M，稍高一些的AT32F415是150M，这几个型号都是嵌入式FLASH，都需要设置FLASH等待周期，最高频率和那些SRAM缓存架构的型号没法比，相互之间应该还是有一些可比性的。三个对比下来，感觉AT32F425作为后出来的型号标96M最高主频有些低了，尝试超频测试一下。
测试还是使用Dhrystone，频率的提高对应着性能的提高，同时由于需要设置FLASH等待周期，性能的增加不一定是线性的。编译器都是AC6.13.1，优化等级O3
首先使用8M主频的DhryStone测试结果作为对比，此时工作电流46.5mA，供电端口为板载ATLink的MicroUSB接口。
info clk
CK_SYS = 8000000
CK_AHB = 8000000
CK_APB2 = 8000000
CK_APB1 = 8000000
CK_ADC = 4000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 56ms 5568
info clk
CK_SYS = 96000000
CK_AHB = 96000000
CK_APB2 = 96000000
CK_APB1 = 48000000
CK_ADC = 48000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 4ms 696
info clk
CK_SYS = 120000000
CK_AHB = 120000000
CK_APB2 = 120000000
CK_APB1 = 60000000
CK_ADC = 60000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 3ms 557
info clk
CK_SYS = 144000000
CK_AHB = 144000000
CK_APB2 = 144000000
CK_APB1 = 72000000
CK_ADC = 72000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 2ms 464
实验结果汇总见下表：
| 主频 | 8M | 96M | 120M | 144M | 168M | | 电流 | 46.5mA | 56.4mA | 58.7mA | 60.7mA | 62.6mA | | 时间 | 55.68ms | 6.96ms | 5.57ms | 4.64ms | BBQ了 |
总结一下：AT32F425在超过标称96M的120M、144M均可以运行，到168M就不行了。随着主频的提高，性能对应提高，功耗也在增大。需要注意的是，本文所做的超频测试仅仅用于实验，目的是为了探索AT32F425这颗芯片的潜力，实际中不推荐用户超频使用，因为超频除了带来性能提升，还带来了功耗的增加，稳定性和可靠性的下降，并且厂家的用户手册给出的参数也仅适用于标称频率，超频以后参数无法得到保证。我自己的项目通常是选择能满足要求的最低频率，不满足了再提高主频，仅供大家参考。
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