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【AT-START-F425测评】AT32F425超频性能测试

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imdx|  楼主 | 2022-3-8 11:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
AT32F425官方标称最高频率是96M,显然这个频率是为了照顾USB应用,定位更低一些的AT32F421最高频率为120M,稍高一些的AT32F415是150M,这几个型号都是嵌入式FLASH,都需要设置FLASH等待周期,最高频率和那些SRAM缓存架构的型号没法比,相互之间应该还是有一些可比性的。三个对比下来,感觉AT32F425作为后出来的型号标96M最高主频有些低了,尝试超频测试一下。
测试还是使用Dhrystone,频率的提高对应着性能的提高,同时由于需要设置FLASH等待周期,性能的增加不一定是线性的。编译器都是AC6.13.1,优化等级O3
首先使用8M主频的DhryStone测试结果作为对比,此时工作电流46.5mA,供电端口为板载ATLink的MicroUSB接口。
info clk
CK_SYS   = 8000000
CK_AHB   = 8000000
CK_APB2  = 8000000
CK_APB1  = 8000000
CK_ADC   = 4000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 56ms 5568
然后是AT32F425标称96M最高主频,工作电流56.4mA
info clk
CK_SYS   = 96000000
CK_AHB   = 96000000
CK_APB2  = 96000000
CK_APB1  = 48000000
CK_ADC   = 48000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 4ms 696
提高到AT32F421最高的120M主频,工作电流58.7mA
info clk
CK_SYS   = 120000000
CK_AHB   = 120000000
CK_APB2  = 120000000
CK_APB1  = 60000000
CK_ADC   = 60000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 3ms 557
提高到接近AT32F415最高主频的144M,工作电流60.7mA
info clk
CK_SYS   = 144000000
CK_AHB   = 144000000
CK_APB2  = 144000000
CK_APB1  = 72000000
CK_ADC   = 72000000
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 2ms 464
继续超频到168M,串口吐了几个字节就失去响应了,看来是不行了,此时AT-START-F425开发板工作电流62.6mA。尝试将APB2和APB1频率再降低一半,测试了下还是不行,看来是真不行了。
实验结果汇总见下表:
主频 8M96M 120M 144M 168M
电流 46.5mA 56.4mA 58.7mA 60.7mA 62.6mA
时间 55.68ms 6.96ms 5.57ms 4.64ms BBQ了
总结一下:AT32F425在超过标称96M的120M、144M均可以运行,到168M就不行了。随着主频的提高,性能对应提高,功耗也在增大。需要注意的是,本文所做的超频测试仅仅用于实验,目的是为了探索AT32F425这颗芯片的潜力,实际中不推荐用户超频使用,因为超频除了带来性能提升,还带来了功耗的增加,稳定性和可靠性的下降,并且厂家的用户手册给出的参数也仅适用于标称频率,超频以后参数无法得到保证。我自己的项目通常是选择能满足要求的最低频率,不满足了再提高主频,仅供大家参考。


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huquanz711| | 2022-3-8 19:42 | 显示全部楼层
超频不稳定吧

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两只袜子| | 2022-3-10 09:52 | 显示全部楼层
超频除了带来性能提升,还带来了功耗的增加,稳定性和可靠性的下降

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