21ic电子技术开发论坛 › 单片机与嵌入式系统 › 中颖MCU › 类EEPROM可擦写多少次？
123下一页
返回列表 发新帖我要提问

[其它应用] 类EEPROM可擦写多少次？

[复制链接]
2131|48
wyjie 发表于 2022-6-9 20:35 | 显示全部楼层
向EEPROM种写入数据实际上是一个烧写的过程，对EEPROM具有一定的破坏性
回复

收藏 举报

chuxh 发表于 2022-6-9 20:38 | 显示全部楼层
EEPROM运行中可以擦除，并可以写入新的数据，不然它就没必要采用EEPROM了。
回复

收藏 举报

llljh 发表于 2022-6-9 20:40 | 显示全部楼层
IIC EEPROM可擦写100万次   
回复

收藏 举报

dengdc 发表于 2022-6-9 20:44 | 显示全部楼层
只是理论值。实际达不到100万次。   
回复

收藏 举报

zhenykun 发表于 2022-6-9 20:48 | 显示全部楼层

EEPROM读次数无限制 而写的次数却在百万次以下
回复

收藏 举报

zwll 发表于 2022-6-9 20:50 | 显示全部楼层
曾经在调试代码的时候方晶while(1)里头直接运行，不过几秒后就取消，至今仍然使用
回复

收藏 举报

stly 发表于 2022-6-9 20:54 | 显示全部楼层
一般都是10万次的 当然不是准确数
回复

收藏 举报

dengdc 发表于 2022-6-9 20:56 | 显示全部楼层
eeprom会比flash多 大概是20万以上吧 flash10万？ 不记得了
回复

收藏 举报

jlyuan 发表于 2022-6-9 21:03 | 显示全部楼层
是哪个板子的rom啊
回复

收藏 举报

stly 发表于 2022-6-9 21:05 | 显示全部楼层
是中颖的芯片吗 还是不错 次数肯定够用
回复

收藏 举报

dengdc 发表于 2022-6-9 21:07 | 显示全部楼层
10万次官方标称
回复

收藏 举报

wyjie 发表于 2022-6-9 21:09 | 显示全部楼层
用flash模拟的？
回复

收藏 举报

heweibig 发表于 2022-6-9 21:12 | 显示全部楼层
最少也得到10万次吧 不然对比其它rom实在是没有别的优势了
回复

收藏 举报

shimx 发表于 2022-6-9 21:15 | 显示全部楼层
10万次最少吧 至少要比flash高
回复

收藏 举报

ousj 发表于 2022-6-9 21:17 | 显示全部楼层

很多MCU都会缩水，建议打骨折（1/10），有条件的话MCU记得换页。
回复

收藏 举报

wyjie 发表于 2022-6-9 21:20 | 显示全部楼层
看是哪种把 100万的都有
回复

收藏 举报

zhanghqi 发表于 2022-6-9 21:24 | 显示全部楼层
放心 绝对够用
回复

收藏 举报

llljh 发表于 2022-6-9 21:26 | 显示全部楼层

类eeprom是eeprom吗
回复

收藏 举报

jlyuan 发表于 2022-6-9 21:28 | 显示全部楼层
10万次官方标称
回复

收藏 举报

supernan 发表于 2022-6-9 21:30 | 显示全部楼层
eeprom会比rom要更好 也会比flash的次数要多
回复

收藏 举报

下一页 »
123下一页
返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部