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类EEPROM可擦写多少次？

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楼主: chenho
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21楼
wyjie| | 2022-6-9 20:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
向EEPROM种写入数据实际上是一个烧写的过程，对EEPROM具有一定的破坏性

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22楼
chuxh| | 2022-6-9 20:38 | 只看该作者
EEPROM运行中可以擦除，并可以写入新的数据，不然它就没必要采用EEPROM了。

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23楼
llljh| | 2022-6-9 20:40 | 只看该作者
IIC EEPROM可擦写100万次   

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24楼
dengdc| | 2022-6-9 20:44 | 只看该作者
只是理论值。实际达不到100万次。   

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25楼
zhenykun| | 2022-6-9 20:48 | 只看该作者

EEPROM读次数无限制 而写的次数却在百万次以下

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26楼
zwll| | 2022-6-9 20:50 | 只看该作者
曾经在调试代码的时候方晶while(1)里头直接运行，不过几秒后就取消，至今仍然使用

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27楼
stly| | 2022-6-9 20:54 | 只看该作者
一般都是10万次的 当然不是准确数

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28楼
dengdc| | 2022-6-9 20:56 | 只看该作者
eeprom会比flash多 大概是20万以上吧 flash10万？ 不记得了

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29楼
jlyuan| | 2022-6-9 21:03 | 只看该作者
是哪个板子的rom啊

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30楼
stly| | 2022-6-9 21:05 | 只看该作者
是中颖的芯片吗 还是不错 次数肯定够用

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31楼
dengdc| | 2022-6-9 21:07 | 只看该作者
10万次官方标称

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32楼
wyjie| | 2022-6-9 21:09 | 只看该作者
用flash模拟的？

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33楼
heweibig| | 2022-6-9 21:12 | 只看该作者
最少也得到10万次吧 不然对比其它rom实在是没有别的优势了

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34楼
shimx| | 2022-6-9 21:15 | 只看该作者
10万次最少吧 至少要比flash高

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35楼
ousj| | 2022-6-9 21:17 | 只看该作者

很多MCU都会缩水，建议打骨折（1/10），有条件的话MCU记得换页。

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36楼
wyjie| | 2022-6-9 21:20 | 只看该作者
看是哪种把 100万的都有

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37楼
zhanghqi| | 2022-6-9 21:24 | 只看该作者
放心 绝对够用

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38楼
llljh| | 2022-6-9 21:26 | 只看该作者

类eeprom是eeprom吗

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39楼
jlyuan| | 2022-6-9 21:28 | 只看该作者
10万次官方标称

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40楼
supernan| | 2022-6-9 21:30 | 只看该作者
eeprom会比rom要更好 也会比flash的次数要多

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