stm32f407 掉电保存问题

2万 · 2023-1-14 23:07

如何读取stm32f407的flash，给个可用的例程，想做掉电保存

1万 · 2023-1-14 23:10

看看跟flash有关的头文件。

1万 · 2023-1-14 23:11

感觉你是要做FLASH的存取操作吧，你可以去ST官网搜索下载AN3969.

1万 · 2023-1-14 23:13

EEPROM emulation in STM32F40x/STM32F41x microcontrollers (AN3969)

2万 · 2023-1-14 23:15

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
      return *(vu32*)faddr;
}

uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
      if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
      else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10;
      return FLASH_Sector_11;
}

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
      u32 addrx=0;
      u32 endaddr=0;
  if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;       //非法地址
      FLASH_Unlock();                                                                      //解锁
  FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存

      addrx=WriteAddr;                               //写入的起始地址
      endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;       //写入的结束地址
      if(addrx<0X1FFF0000)                      //只有主存储区,才需要执行擦除操作!!
      {
            while(addrx<endaddr)             //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
            {
                     if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
                     {
                              status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间!!
                              if(status!=FLASH_COMPLETE)break;       //发生错误了
                     }else addrx+=4;
            }
      }
      if(status==FLASH_COMPLETE)
      {
            while(WriteAddr<endaddr)//写数据
            {
                     if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
                     {
                              break;       //写入异常
                     }
                     WriteAddr+=4;
                     pBuffer++;
            }
      }
  FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);       //FLASH擦除结束,开启数据缓存
      FLASH_Lock();//上锁
}

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{
      u32 i;
      for(i=0;i<NumToRead;i++)
      {
            pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
            ReadAddr+=4;//偏移4个字节.
      }
}

void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData)
{
  STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);

}

1万 · 2023-1-14 23:16

这个问题, 通常情况下, 保存不是问题

1万 · 2023-1-14 23:19

倒是可靠检测掉电, 保证保存需要的时间, 是个问题

2万 · 2023-1-14 23:21

用cube能生成现成的代码吗？

2万 · 2023-1-14 23:24

可以参考原子哥的例程

1万 · 2023-1-14 23:25

那其实就小很小的一部分就可以啊

1万 · 2023-1-14 23:31

挺简单的回头我发你邮箱吧

1万 · 2023-1-14 23:32

没使用库函数读取过

1万 · 2023-1-14 23:34

我还没有处理过flash呢

2万 · 2023-1-14 23:36

正常对flash进行读取就可以啊

1万 · 2023-1-14 23:39

需要保存多少数据啊

2万 · 2023-1-14 23:41

原子那边有很多这样的例程

1万 · 2023-1-14 23:42

对保存的地址有详细要求吗

2万 · 2023-1-14 23:44

官网有这方面的说明**

2万 · 2023-1-14 23:46

唉，还是没有什么结果，算了，多谢大家啦

只看该作者 · 2023-2-13 16:48

正常对flash进行读取就行