STM32F103C8T6 读写内部flash，导致重新上电不能启动问题

发表于 2023-2-17 23:35

还有什么现象？能再详细描述下吗？

发表于 2023-2-17 23:38

其实，我是指定地址，在0X0800E000上定义了一个const常量，然后我的flash 也是操作的这个地址

发表于 2023-2-17 23:38

可以看到，从 0X08009FA8 开始，都是PAD，也就是填充空白的。倒数第二段是没有数据的，

发表于 2023-2-18 10:01

PAD 可是有数据的，因为对齐的原因，程序的大小和实际占用的ROM大小不一致，才用PAD来表示。

发表于 2023-2-18 10:02

看你的MAP文件最后占用ROM大小就知道了。

发表于 2023-2-18 10:03

也就是我要读写最后定义的那个const常量

发表于 2023-2-18 10:04

需要把1page数据都读出来，然后擦除掉，然后改掉需要修改的部分，再把数据都写进去是吗

发表于 2023-2-18 10:05

是的，这是flash的自身的特性，只能按照页来擦除

发表于 2023-2-18 10:07

如果你只是改这页上的部分数据，那么必须全读出来

发表于 2023-2-18 10:09

修改需要修改的部分，然后再写回去。

发表于 2023-2-18 10:10

楼主的问题好奇怪啊

发表于 2023-2-18 10:12

难道破坏了原有代码？

发表于 2023-2-18 10:13

在这种情况下可以恢复出厂设置吗

发表于 2023-2-18 10:15

这些代码能看出来什么啊

发表于 2023-2-18 10:17

重新写入新的程序试试看

[STM32F1] STM32F103C8T6 读写内部flash，导致重新上电不能启动问题