新唐8051 范例中dataflash 为什么可以直接写？不用先擦除？

只看该作者 · 2023-8-27 11:31

如题：新唐8051 范例中dataflash 为什么可以直接写？不用先擦除？

我看上面说有128字节的DataFlash，我在想，这个空间是不是烧录的时候不会烧录到这里？这里是独立的区域么？
然后还有个疑问，就是为什么新塘的规格书上面，找不到寄存器的详细说明，比如第几位是干啥的
都找不到这样的资料。

大家开发这个时候，难道都是去找STC的规格书来参考的么？？？？

只看该作者 · 2023-8-27 11:34

自己先顶一下~~

只看该作者 · 2023-8-27 11:41

比如这个DataFlash地址是哪里，在哪个资料可以看到，比如型号是MS51FB9AE的

只看该作者 · 2023-8-27 14:21

附件图中：
1. 第一步往0x3882写入一个字字节数据0x34 ；

2. 第二步往0x38E0写入50个字字节数据0~49 ；
3. 第三步往0x38FE写入结构体StructData；
4. 第四步却又将0x38FD地址的数据跟0x38FE的数据合并。

以上理解对么？

5. 另外还有疑问，新唐的MCU内部的DataFlash地址是从0x3882开始么？还是？这点从官方那个手册有这方面的描述？
6. 按照上面步骤的说明，既然是Flash，肯定写之前是要做擦除动作的，每写入一次，不是把前面那次写入的数据给擦除掉了？
官方例程为什么还要搞以上那么多个步骤？用意是啥？
7. 结构体写入的时候，由于每个成员数据长度不同，占去的空间也会不同，他是如何将几个成员的数据写入进去的?
而官方例程中，如果便于区别，可以完全用0x01234 0x456789 0x98 这种作为范例，方便区别，怎么写入的，0x55的范例的用途是啥？
8. 其中后面读值的时候，将将2个相邻地址的数据合并成一个16数据，用意是什么呢？

麻烦各位用过的大佬指导一下，感谢~~

只看该作者 · 2023-8-28 08:18

顶上去

只看该作者 · 2023-8-28 08:37

新唐的 datasheet 确实令人难以下咽，很多东西都不在datasheet里说清楚。
MS51FB9AE 这款，定时器的定时时间是怎么计算出来的，datasheet里没说，BSP里也就是给个数字，不阐述怎么计算的，很蛋疼。

51单片机的资料，最齐全的只有STC家了。

只看该作者 · 2023-8-28 08:51

楼主，看这个手册，估计有帮助：
https://www.nuvoton.com.cn/export/resource-files/TRM_MS51FB9AE_MS51XB9AE_MS51XB9BE_SC_Rev1.04.pdf

只看该作者 · 2023-8-28 09:26

MS51FB9AE 这个应该是替换n76e003的吧，我记得n76e的demo还是不错的。

只看该作者 · 2023-8-28 10:17

medety 发表于 2023-8-27 14:21
附件图中：
1. 第一步往0x3882写入一个字字节数据0x34 ；

5： APROM地址范围是0~0x3fff，可以使用任意地址，IAP ISP就是靠这个实现的。0x3882在APROM的末端，一般的代码到不了这，不会改动代码功能。当然你可以把DataFlash地址定义在任何位置，这样会改动你代码功能。
6：写之前一定要确保是空白的，不然会出错。但不是说“写之前是要做擦除动作”。写只能按字节操作，擦除是按页操作。官方例程的地址都在一页中，只需在开头执行一次擦除即可。
7: flash读写只需要知道结构体的首地址和占用字节数即可。不需要知道结构体内部情形，你可以任意调整结构。用0x55没啥特定含义，你可以使用任意值。
8：没啥用意。u32i=(read(0x0001)<<24)+(read(0x0002)<<16)+(read(0x0003)<<8)+(read(0x0003)<<0);你可以随意。

只看该作者 · 2023-8-28 10:45

写之前已经是空白的，可以直接写，不用先擦除。
这和其它的没啥区别。

假如不是空白的，操作如下
1 把要写的整页读出，备份
2.擦除整页
3 修改备份
4 把备份写入整页

只看该作者 · 2023-8-28 15:32

你要看一下具体的实现函数，里面就有擦除操作。只是现在封装好了给你用，不用具体去操作罢了。让你像操作EEPROM一样。

只看该作者 · 2023-8-28 23:16

qiangtech 发表于 2023-8-28 15:32
你要看一下具体的实现函数，里面就有擦除操作。只是现在封装好了给你用，不用具体去操作罢了。让你像操作E ...

官方只会提供擦除、读、写这几个函数。stm也是这样。
具体该怎么调用，还得你自己安排。
flash和eeprom不一样，擦写次数低了1个数量级。eeprom不需要擦除操作，直接写。

只看该作者 · 2023-8-29 10:04

只看该作者 · 2023-9-1 10:02

datouyuan 发表于 2023-8-28 10:45
写之前已经是空白的，可以直接写，不用先擦除。
这和其它的没啥区别。

5、 MS51没有设置单独的data flash区域。只要APROM空余的区域都可以用做data flash保存数据，通常会选择后面部分，因为程序一般没有到达这个区域。烧写程序时不要选择整颗芯片擦除，这样烧程序就不会把DATA flash的内容擦掉。
MS51的Flash读写单位是字节，擦除是以页（128字节）为单位。例程是将最后一页作为了data flash保存数据。
6、 Flash里数据如果不是0XFF，就需要擦除后才能再写。例程里操作的都是同一页，所以如果写过了，只需要在开头加一条擦除一整页，然后就可以按字节写。
如果这一页内容非0XFF，要再写，按照下面操作：
先将整页内容读出备份===》页擦除==》在备份里修改内容==》重新写入flash
7、往flash里读写结构体，只需要知道结构体的首地址和结构体大小，不需要知道具体结构体的内容哪个放在什么位置。0X55和前面写的数据不一样就行。
8、为了演示写过的地方没有擦除前无法再次写入

新唐8051 范例中dataflash 为什么可以直接写？不用先擦除？

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