超快恢复二极管正向导通时非平衡少子的积累现象叫什么呢?MDD超快恢复二极管输入的电压空穴会发生什么变化呢?
当二极管外加正向电压时,PN结会变窄,同时多数载流子不断扩散,P区空穴会向N区扩散,N区电子会向P区扩散,且具有相当数量的积累,这些扩散到对方区域的载流子称为非平衡少子。比如从P区扩散到N区的空穴,在N区会建立一定的空穴浓度分布,靠近PN结边缘的浓度最大,离PN结越远的浓度越小,并且正向电流越大,存储的空穴数目就越多,这也正是我们讲扩散电容时说到的现象。我们把正向导通时非平衡少子的积累现象叫做电荷存储效应。
当输入电压突然从正向电压变成反向电压时,P区存储的电子和N区存储的空穴不会马上消失,它们会通过两个途径逐渐减小:
在反向电场下,P区电子被拉回N区,N区空穴会被拉回P区,形成反向漂移电流,这就是图4中的Ireverse;
这些非平衡少子被拉回后与多数载流子复合
而在这些存储电荷消失之前,PN结仍然很窄,PN结的电阻仍很小,所以此时的反向电流就几乎等于反向电压除以回路电阻,因此这个值很大。经过ts后P区和N区所存储的电荷显著减小,耗尽层也逐渐变宽,反向电流Ireverse也逐渐减小到正常的反向饱和电流Is,这之后二极管才转为截止。
所以说反向恢复时间就是存储电荷消失所需的时间。
可以发现反向恢复时间限制了二极管的开关速度,如果脉冲持续时间跟二极管反向恢复时间时间差不多甚至更短,那负脉冲就不能使二极管关断。而这时就需要快恢复二极管,顾名思义就是恢复时间很短的二极管。
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