APM32F411程序在SRAM中运行速度比FLASH快？

只看该作者 · 2023-11-6 16:39

SRAM是静态存储器，可以快速地读写数据，而FLASH是动态存储器，需要等待电池充电或时钟脉冲等操作才能进行读写操作。

只看该作者 · 2023-11-6 16:50

当单片机程序在SRAM中运行时，可以更快速地访问存储器，从而提高程序的运行速度。

只看该作者 · 2023-11-6 19:43

对于单片机程序的运行速度而言，一般情况下SRAM比FLASH更快。

1万 · 2023-11-6 20:13

如果单片机程序在FLASH中运行，那么程序的运行速度可能会受到影响。

只看该作者 · 2023-11-7 16:22

SRAM是随机存取存储器，其数据读取速度快，只需几个纳秒的时间

只看该作者 · 2023-11-7 18:55

于SRAM的成本较高且容量较小，因此在需要大量存储数据的程序中，使用FLASH存储器可能更为经济实用。

只看该作者 · 2023-11-7 20:32

只看该作者 · 2023-11-7 20:59

FLASH是一种非易失性存储器，它在编程和擦除过程中需要更多的时间。

只看该作者 · 2023-11-7 21:24

SRAM是静态随机存储器，其读写速度比FLASH快

只看该作者 · 2023-11-8 08:17

程序在RAM中运行肯定会比在FLASH中运行快的，FLASH中涉及到读写指令等待周期。

只看该作者 · 2023-12-5 09:31

由于SRAM是一种静态随机存取存储器，它的读写速度通常比闪存快

只看该作者 · 2023-12-12 16:34

SRAM比闪存快得多，但其存储容量相对较小。

只看该作者 · 2023-12-15 08:15

这个要分MCU内部结构，如果内部结构是两块以上SRAM，代码和数据分别放在不同的RAM块，速度才能达到最大。如果指令和数据放在同一块RAM，会有总线竞争，等同冯诺伊曼结构，数据总线或者指令总线访问RAM时总要等待对方访问结束。
另外SRAM就算可以跑到最大频率，由于AHB的桥接，CPU读写SRAM也不是120MHz。能够和CPU同频的时ICM和DCM。

只看该作者 · 2024-1-8 15:32

微控制器程序在SRAM中比在Flash中运行得快。

只看该作者 · 2024-1-9 11:35

SRAM比闪存更贵，所以它通常只用于需要高速运行的程序。

只看该作者 · 2024-2-1 22:33

高速缓存技术的使用可以在一定程度上缩小SRAM与闪存之间的差距。

只看该作者 · 2024-2-2 19:09

因为硬件计划以及算法优化等身分，flash也可以实现较快的运行速率。

只看该作者 · 2024-2-4 09:52

如果将程序代码存储在SRAM中，程序的运行速度将比存储在闪存中的运行速度快。

只看该作者 · 2024-2-4 12:07

随着片上RAM容量的不断增加，RAM资源不再是制约这种差异的主要因素。

只看该作者 · 2024-3-5 15:17

高速缓存技术的使用可以在一定程度上缩小SRAM和闪存之间的差距。

APM32F411程序在SRAM中运行速度比FLASH快？

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