STM32+IR2104S的H桥电机驱动电路详解

只看该作者 · 2023-10-19 14:15

注意：因为此时电容在持续放电，压差会逐渐减小。最后，电容正极对地电压(即上桥臂MOS栅极对地电压)会降到Vcc，那么上桥臂MOS的栅源电压便≈Vcc-VM=12V-7.6V=4.4V< Vth=6V，高端MOS仍然会关断。

只看该作者 · 2023-10-19 14:15

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补充总结：
★ 因此想要使高端MOS连续导通，必须令自举电容不断充放电，即循环工作在上述的三个阶段（上下桥臂的MOS处于轮流导通的状态，控制信号输入PWM即可），才能保证上桥臂MOS导通。自举二极管主要是用来当电容放电时，防止回流到VCC，损坏电路。

只看该作者 · 2023-10-19 14:16

但是，在对上面的驱动板进行实际测试时会发现，不需要令其上下桥臂MOS轮流导通也可以正常工作，这是因为即使自举电容放电结束，即上桥臂MOS的栅源电压下降到4.4V仍然大于LR7843的Vth=2.3V。
那么在上述驱动板中，自举电路就没有作用了吗?当然不是，由于MOS管的特性，自举电路在增加栅源电压的同时，还可令MOS管的导通电阻减小，从而减少发热损耗，因此仍然建议采用轮流导通的方式，用自举电容产生的大压差使MOS管导通工作。