晶振选型时候的12pf,20pf有什么区别啊？

发表于 2025-6-30 10:40

晶振选型中的 12pF、20pF 指负载电容（CL），直接影响晶振频率稳定性：
CL 值不同：需匹配电路中晶振两端对地电容（C1、C2）的并联等效值，公式 CL=(C1×C2)/(C1+C2)+ 杂散电容（约 3pF）。
影响频率：CL 值与频率负相关，12pF 晶振频率精度更高（如 12MHz±20ppm），20pF 稳定性稍低但抗干扰强，适合工业环境。
匹配性：需根据 MCU 推荐值选择（如 STM32 常配 18pF），CL 不匹配会导致频率偏移或起振困难。

发表于 2025-7-25 11:06

12pF 和 20pF 为晶振负载电容，值越小需匹配电容越小，影响振荡稳定性。

发表于 2025-9-25 17:20

晶振选型中 12pF 和 20pF 指负载电容值，需与芯片匹配电路匹配。负载电容不匹配会导致振荡频率偏差，影响串口等时序敏感功能。12pF 适用于电路寄生电容小的场景，20pF 用于寄生电容较大的情况。需根据芯片手册推荐值，结合 PCB 布线寄生电容综合选择，确保振荡稳定。

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