使用Data Flash模拟EEPROM

发表于 2024-5-13 22:15

这种使用Data Flash模拟EEPROM的方法，能够使用byte write/byte read以及超过百万次可靠的擦写次数。

发表于 2024-5-14 13:04

在嵌入式系统中，EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）是一种非常有用的存储设备，因为它允许单个字节的读写操作，并且具有非易失性，即掉电后数据仍然保留。然而，传统的EEPROM的写次数有限，通常在10万次左右，对于需要频繁更新数据的应用来说可能不够用。

发表于 2024-5-14 21:04

读取数据时，直接从SRAM中读取，因为SRAM的访问速度比Flash快得多。Flash主要用于在断电或重启后重新初始化SRAM。

发表于 2024-5-15 09:55

传统的Flash内存的擦写次数有限，通常在数万到数十万之间。然而，通过将数据分散到多个Data Flash页面，并在每个页面上进行字节级的写入和读取，可以显著增加总的擦写次数，使其接近或达到EEPROM的百万次级别。

发表于 2024-5-15 15:56

在写入数据时，系统将同时将数据写入SRAM和Data Flash。这样，后续的读取操作可以从SRAM快速完成，而不必从Data Flash中读取数据。
当一个Data Flash页面写满后，系统会自动切换到下一个页面，并且可以直接将SRAM中的数据存储到新的Data Flash页面中，避免了搜索整个Data Flash来找到已写入数据的时间。

[应用方案] 使用Data Flash模拟EEPROM

浏览过的版块