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一、简介 用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制： 1、不用额外的电荷泵升压； 2、只要将栅极拉低和置高就能控制通断。随着半导体工艺的进步，PMOS在导通内阻上的参数也逐渐好转，使得PMOS在电流不是特别大、对压降不是特别敏感的高侧开关场合，拓宽了应用。
二、PMOS防电源反接
图（1）
图（2） 上述两张图的电路可用于防电源反接，但不防电源倒灌，来分析这个电路： （1）电源从左侧正常输入时： l当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。 l一般PMOS的G极导通阀值为-1~2V，而绝大多数的电源电压差都要超过这个值。故Vgs超出G极导通阀值，Q1完全导通。 l随着Q1完全导通，Q1的DS两端的电位差被拉低到 （此时的导通内阻 x 流过的电流），这个值一般都很小，远小于0.7V，Q1的体二极管被短路关断，并且Q1持续导通。 lVCC向负载正常供电。负载的电压取决于MOS的压降，压降为 MOS的导通内阻 x DS电流。较小的导通内阻可获得很低的压降、很低的发热、很高的负载效率。因为MOS的导通内阻通常为几mΩ~几十mΩ，在几A的电流下压降仅仅0.0x ~ 0.xV，比肖特基二极管的0.3V更为高效。（并且二极管的压降并不是固定的，根据二极管的特性曲线得知，电流越大压降也会变得越大，所以现在的高效率电路都在用MOS来替代二极管，如DCDC的同步整流方案：省略了外部的二极管，降低了整体发热，提高了输出效率，提高了可输出电流，便于集成为单芯片转换器，减少了占地面积） l因为MOS的开通速度非常迅速，所以不用担心体二极管因电流过大造成损坏，器件的电流上升都有一个过程，而在过程刚开始的几ns，可能PMOS已完全导通，体二极管之后就会被短路关断。 （2）VCC和GND反接，电路保护： l因为Q1的体二极管反接，始终处于关断状态，即使负载为0Ω的通路，S极的电位也始终保持与G极相等，Q1始终处于关断状态。电路关断，起到电源反接保护的作用。
三、电流倒灌的情形上述图（1）和图（2），如果假设负载是个电池，而VCC并不是一直供电的情况。当负载输出电流时，会造成负载向左侧电源端的电流倒灌。 l假设右侧的负载就是个电池，电压为Vb。 l当VCC无效时，PMOS的S极直接连接负载电源，G极电位为0。此时Q1的 Vgs = 0 - Vb。故只要负载输出的电压Vb 超出Vgs最小导通阀值，就会造成PMOS导通，电 流从右向左倒灌。进而可能引起电路上的一系列故障。
四、固态继电器电路-防倒灌通过增加一控制I/O，控制开通。并且能在主动关断时，防止倒灌。 图（3） 上述电路好就好在它是个双向开关，而且可完全控制开通/关断，完全可以替代机械继电器来做固态继电器（前提是输入的信号电压不能太低，起码超出PMOS的G极导通电压范围）。下面来分析原理： CONTROL电平为高，电路开通，双向导通： l如CONTROL电平为高，则Q4 NMOS开通，Q2、Q3的G极电位均被拉低到0V。 lQ2的体二极管率先导通，Q2的S极电平为VCC-0.7V，因为G极电平为0，所以满足开通条件，Q2完全导通。 l而Q3此时的S极与Q2的S极相连，电位相同，均为VCC。并且G极电平为0，也满足开通条件，Q3也完全导通。之后VCC向负载正常供电。 l反过来，如果VCC=0，而负载是电压源，也同样导通，只不换成了Q3的体二极管先导通，然后再轮到Q2。 CONTROL电平为低，电路完全关断： lCONTROL电平为低，Q2、Q3都会被关断，并且R2持续上拉，保持Vgs=0，两个PMOS全部处于完全关断状态。并且因为 Q2、Q3的体二极管是反向串联的，所以无论从左还是从右侧，流经DS的电流只有反向漏电流，几乎是没有的。 上面的开关电路固然非常好，但需要的元件数量的比较多，并且需要串联两个PMOS，会对负载效率和成本造成一定的影响。如果只由一侧向另一侧供电，不考虑也不存在电流倒灌的情景。（实际中大多是是这种情景）来设计一个高侧开关的话，可以是下面这种样式： 图（4）
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