使用STM32H7的银行模式（Dual-bank Flash）

只看该作者 · 2024-7-30 18:21

STM32H7系列有些型号支持Dual-bank模式，可以在一个银行擦除的同时从另一个银行运行程序。不过具体到STM32H750XBHx是否支持Dual-bank需要确认其具体特性。如果支持，可以将程序和数据分开存储在不同的银行，实现无中断的数据更新。

示例代码
以下是一个简单的示例代码，展示如何在程序运行时保存数据到Flash中，并确保不擦除程序部分的Flash：

#include "stm32h7xx_hal.h"

// Flash存储地址（注意选择程序存储区之外的地址）
#define FLASH_USER_START_ADDR 0x08020000 // 根据具体情况选择合适地址
#define DATA_SIZE             128       // 数据大小（字节）

// 数据缓冲区
uint8_t data_to_save[DATA_SIZE];
uint8_t data_read[DATA_SIZE];

void Flash_Write(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t size) {
// 解锁Flash
HAL_FLASH_Unlock();

// 擦除Flash页
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t PageError;

EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1;
EraseInitStruct.Page = (address - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
EraseInitStruct.NbPages = 1;

if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK) {
      // 处理擦除错误
}

// 写数据到Flash
for (uint32_t i = 0; i < size; i++) {
      if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, address + i, data[i]) != HAL_OK) {
         // 处理写入错误
      }
}

// 锁定Flash
HAL_FLASH_Lock();
}

void Flash_Read(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t size) {
for (uint32_t i = 0; i < size; i++) {
      data[i] = *(uint8_t*)(address + i);
}
}

int main(void) {
// 初始化HAL库
HAL_Init();

// 初始化数据
for (int i = 0; i < DATA_SIZE; i++) {
      data_to_save[i] = i;
}

// 写数据到Flash
Flash_Write(FLASH_USER_START_ADDR, data_to_save, DATA_SIZE);

// 从Flash读取数据
Flash_Read(FLASH_USER_START_ADDR, data_read, DATA_SIZE);

// 比较数据
for (int i = 0; i < DATA_SIZE; i++) {
      if (data_to_save[i] != data_read[i]) {
         // 数据不匹配，处理错误
      }
}

while (1) {
      // 主循环
}
}

只看该作者 · 2024-7-30 18:21

在STM32H750XBH上使用Flash存储数据时，要避免擦除程序部分的Flash。可以考虑使用外部存储、双分区方案、日志式存储、磨损均衡等方法来实现数据的可靠存储。使用Dual-bank模式也是一种有效的解决方案，如果芯片支持。

只看该作者 · 2024-7-30 18:21

本帖最后由突然下起雨于 2024-7-30 18:23 编辑

双分区技术
将128KB的Flash分为两个分区，一个用于存储程序，另一个用于存储数据。通过这种方式，可以避免擦除程序部分的Flash块。

双分区方案
分区1：存储程序代码。
分区2：存储数据。
这种方法的缺点是只能在程序占用空间较小时使用，并且会浪费一些Flash空间。

只看该作者 · 2024-7-30 18:22

使用耐久性数据存储方法
为了避免频繁擦除和写入，使用一些耐久性数据存储方法，例如：

日志式存储
采用日志式存储（Log-structured storage），每次写入新数据时，将数据写入Flash的不同位置，避免频繁擦除同一区域。通过维护一个索引来查找最新的数据。

可磨损均衡（Wear leveling）
使用软件算法实现磨损均衡，均匀分布Flash擦写次数，延长Flash寿命。这通常需要自定义的Flash管理算法。

只看该作者 · 2024-7-30 18:22

避免擦除程序部分

如果程序代码和数据都放在同一个128KB的Flash块中，擦除操作会影响程序代码的完整性。这种情况下，推荐的做法是：

使用外部存储
考虑使用外部存储器（如EEPROM、外部Flash等）来存储数据。这可以避免频繁擦写内部Flash，从而减少对程序运行的影响和Flash的磨损。

使用内部RAM存储
如果数据量较小且需要频繁更新，可以在运行时将数据存储在内部RAM中，但这仅适用于掉电不丢失数据的需求。

只看该作者 · 2024-7-30 18:53

在STM32H7系列中，Dual-bank模式允许在一个Flash银行擦除的同时从另一个银行运行程序。

只看该作者 · 2024-7-31 23:55

具体到STM32H750XBHx型号，您可以确认它是否支持Dual-bank模式，通过查看STMicroelectronics的官方数据手册和参考手册。

只看该作者 · 2024-7-31 23:55

如果支持Dual-bank模式，您可以利用这一特性实现程序的无中断更新。

只看该作者 · 2024-8-31 12:49

STM32H7系列的某些型号确实支持Dual-bank Flash模式，这种模式允许在一个Flash银行擦除和编程时，另一个银行可以继续运行程序。

只看该作者 · 2024-8-31 21:30

对于STM32H750XBHx型号，其是否支持Dual-bank模式和如何配置需要查阅具体的参考手册和数据手册。