TC397 Flash

1万 · 2024-9-7 13:32

例程
在此示例中，闪存程序存储器 (PFLASH) 的 64 字节被写入并在之后进行验证。此外，64 字节的数据闪存 (DFLASH) 被写入和验证。
在任何写操作之前，闪存被擦除。如果对应flash操作成功后，每个测试的 LED 都会亮起。
数据存储器单元 (DMU) 控制在程序和数据闪存存储器（PFLASH 和 DFLASH）上执行的命令序列，与闪存标准接口 (FSI) 和程序闪存接口 (PFI) 连接。

FSI 对所有闪存执行擦除、编程和验证操作。
AURIX™ TC39x 器件具有：

6 Program Flash Banks (PFx)
2 Data Flash Banks (DFx)
AURIX™ TC39x 具有五个大小为 3 MB 的 Program Flash bank (PF0…PF4) 和一个大小为 1 MB 的 Program Flash bank (PF5)。每个 Program Flash bank 被划分为大小为 1024 KB 的物理扇区，每个物理扇区被划分为 64 个大小为 16 KB 的逻辑扇区.

AURIX™ TC39x 具有两个数据闪存组，DFLASH0 和 DFLASH1。两者都包括通常用于 EEPROM 仿真的多个 EEPROM 扇区。只有 DFLASH0 包含用于数据保护的用户配置块 (UCB) 和用户无法直接访问的配置扇区 (CFS)。

DFLASH EEPROM 可以配置为单端模式（默认）或补码检测。根据所选模式，每个扇区的大小分别设置为 4 KB 和 2 KB。

可以在闪存中编程的最小数据量是 page

Program Flash pages are made of 32 Bytes
Data Flash pages are made of 8 Bytes
可以执行擦除操作的最小单位是逻辑扇区。

编程闪存程序存储器或数据闪存存储器的最小命令序列如下：

Flashing the Program Flash memory
要执行 PFLASH 编程，建议从与要编程的 PFLASH 不同的存储器位置运行代码。因此，在开始闪存操作之前，通过函数 copyFunctionsToPSPR() 将擦除和编程例程复制到 CPU0 的 Program Scratch-Pad SRAM (PSPR) 中。这使用标准 c 库 string.h 中的 memcpy() 函数并将函数指针分配给新的内存位置。然后，实际的闪存编程操作从擦除所涉及的逻辑扇区开始。

Erase of Logical Sectors
要执行擦除操作，必须通过清除 EndInit 保护位在 PFLASH 上启用写操作，通过函数 IfxScuWdt_clearSafetyEndinitInline() 完成。然后，可以通过 IfxFlash_eraseMultipleSectors() 函数执行一个或多个连续逻辑扇区的擦除命令序列，该函数由函数指针 eraseSectors() 从 PSPR 执行。
最后，必须通过函数 IfxScuWdt_setSafetyEndinitInline() 再次设置 EndInit 保护位。
函数指针 waitUnbusy() 调用的函数 IfxFlash_waitUnbusy() 停止，直到扇区被擦除并且 PFLASH 再次准备好。

Write operations
擦除所需的逻辑扇区后，就可以开始写操作了。
函数指针 enterPageMode() 从 PSPR 调用的函数 IfxFlash_enterPageMode() 用于进入页面模式。函数 waitUnbusy() 用于暂停，直到 PFLASH 准备好，然后，必须在页面中写入的数据被加载，重复调用函数 IfxFlash_loadPage2X32()，从 PSPR 使用函数指针 load2X32bits() 执行。

然后通过调用函数指针 writePage() 来写入加载的页面，该指针从 PSPR 执行 IfxFlash_writePage() 函数（在写入操作之前和之后，EndInit 保护位被清除和分别设置）。
最后调用waitUnbusy()，等待页面写入完成，PFLASH再次准备就绪，然后可以重复写入过程，直到所有需要的数据都成功写入PFLASH。

所有用于执行闪存操作命令序列的函数都可以在 iLLD 头文件 IfxFlash.h 中找到，而函数指针在 Flash_Programming.c 文件中声明和分配。

Flashing the Data Flash memory
除了地址不一样，其他跟PFLASH一致。
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