本帖最后由 zhao133 于 2024-10-25 17:47 编辑
在AC220V电机驱动器里，一般功率较小的时候，我们会使用MOSFET驱动电机，功率较大时我们会使用IGBT驱动电机，那么这两功率器件驱动电机到底有多大的差异呢，今天给大家分享一下我最近做的对比测试
测试硬件平台：AC220V 300W无刷电机开发板 （https://bbs.21ic.com/icview-3400634-1-1.html）
driver： IR2301STRPBF（英飞凌 driver）
主控MCU：APM32F035C8T7 (Geehy 电机专用M0+)
对比功率管：STGB19NC60KDT4（ST IGBT）
NCE65T180D (新洁能 MOS)
为了保证一致性，我准备两款一样的硬件，烧录相同的代码，通过变频电源设置输出电压为AC220V 50Hz给驱动板供电，分别驱动同一个电机，观察两个板子驱动电机的U相电流波形。
通过变频电源读取到的输出功率分别为115W（IGBT方案）和122W（MOS方案），通过示波器抓取到的电流波形可以看出，两个电流波形频率是一致的，这说明了负载输出转速一样。IGBT方案毛刺较少，MOS方案毛刺较多，因此MOS方案损耗较大，这个损坏主要体现在MOS损耗上，电机工作一段时间测量一下功率管的温度就可以得到。
其实这个测试现阶段只是给大家分享一下，两种功率管在高压环境下驱动电机是由差异的，MOS的损耗较大，IGBT损耗小，至于MOS开关造成的巨大毛刺到底能否通过优化软硬家吸收或减小，这个还需要做一些实验验证一下。近期会继续完成这个测试，后续在给大家分享一下优化后的测试情况。
这个分享希望能给大家工作上带来一些帮助。
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