STM32F030F4P6 上的 Flash 保护

只看该作者 · 2024-12-9 16:40

Flash 存储保护
STM32 提供了 Flash 存储的写保护机制，以防止意外的写入操作。你可以通过设置特定的寄存器来保护 Flash 存储区域。

3.2 启用 Flash 写保护
STM32F030F4P6 的 Flash 写保护可以通过 FLASH_OB（Flash Option Bytes）进行配置。

代码示例：启用 Flash 写保护
c
复制代码
// 启用 Flash 写保护
void Enable_Flash_Write_Protection(void) {
FLASH_OBProgramInitTypeDef obInit;

HAL_FLASH_Unlock();  // 解锁 Flash 控制寄存器
HAL_FLASH_OB_Unlock();  // 解锁 Option Byte 寄存器

obInit.OptionType = OPTIONBYTE_WRP;  // 写保护类型
obInit.WRPState = OB_WRPSTATE_ENABLE;  // 启用写保护
obInit.WRPPage = 0x0;  // 对 Flash 区域 0 写保护
HAL_FLASHEx_OBProgram(&obInit);

HAL_FLASH_OB_Launch();  // 执行 Option Byte 配置
HAL_FLASH_Lock();  // 锁定 Flash 控制寄存器
}

只看该作者 · 2024-12-9 16:40

禁用 Flash 写保护
如果需要临时关闭写保护以进行编程操作，可以通过以下代码禁用写保护：

代码示例：禁用 Flash 写保护
c
复制代码
// 禁用 Flash 写保护
void Disable_Flash_Write_Protection(void) {
FLASH_OBProgramInitTypeDef obInit;

HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASH_OB_Unlock();

obInit.OptionType = OPTIONBYTE_WRP;
obInit.WRPState = OB_WRPSTATE_DISABLE;
obInit.WRPPage = 0x0; // 禁用写保护
HAL_FLASHEx_OBProgram(&obInit);

HAL_FLASH_OB_Launch();
HAL_FLASH_Lock();
}

只看该作者 · 2024-12-9 16:41

STM32F030F4P6 的 Flash 存储提供了强大的非易失性存储能力，通过合理的编程技巧，我们可以模拟 EEPROM 的功能，用于存储配置数据、日志记录等信息。需要注意的是，Flash 写入和擦除操作有一定的限制，频繁操作可能会导致 Flash 提前老化，因此在使用时需要采取合适的策略来减少写操作的次数（例如采用环形缓冲区策略）。通过正确配置 Flash 存储和写保护，可以有效地保护数据的完整性和避免意外写入。