1.背景：
使用的STM32芯片型号是STM32H750，该芯片的flash只有128K，满足不了我们的程序大小需求，所以给该芯片添加一个外部FLASH，就是使用QSPI挂载一个内存芯片；
要想下载程序到外部FLASH中，就还需要引导的下载算法，然后要启动外部FLASH中的程序，还需要一个下载在芯片内部FLASH的引导Bootloader，使得内存芯片通过QSPI映射到芯片，并引导加载在外部FLASH中的APP；
但是在APP调试过程中，使用STM32CubeIDE的调试功能，并不能够满足我们需求，APP程序在修改为符合下载到外部FLASH中的时候，xxx_FLASH.ld文件的内存区域就被修改过，再使用STM32CubeIDE默认的调试功能，会启动失败；
2.配置过程
选用正确的链接脚本，创建工程时，会有2个ld后缀的链接脚本，分别对应于从flash启动和sram启动的脚本；
编译时要define VECT_TAB_SRAM；
debug config设置正确的程序PC；
在不影响我们正常程序编译和烧录的情况下，添加调试工具，图片步骤如下所示：
1、在项目属性中新建一个配置：
2、配置新建的“TEST”
添加 VECT_TAB_SRAM
3、选择xx.ld编译文件
4、点击“应用并关闭”后，编译一下工程，选择新建的配置文件
5、新建一个调试配置
6、设置新建的调试配置，选择刚刚新编译出来的xx.elf文件
7、修改默认起始地址
8、选择新建的调试配置进行调试，并且在main函数中，前面添加引导指针 SCB->VTOR = 0x24000000;
程序可以正常调试，而且不影响烧录进外部FLASH的配置；
3.注意事项
在第7步的修改默认起始地址中，起始地址可以参考
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