经典MOS管电平转换电路

发表于 2025-6-14 20:00

选用N-MOS低转高成本低，但P-MOS高转低时要留意阈值电压Vth的匹配问题。

发表于 2025-6-15 15:29

调整电路，减少浮栅干扰，提高电路稳定性。

发表于 2025-6-19 22:04

确保满载运行后，检测MOS管结温，确保未超过安全上限。

发表于 2025-6-24 21:31

电源不隔离导致电流相互干扰，产生噪声，影响电路稳定。

发表于 2025-6-26 19:03

为防止ESD损害，在MOS管输入/输出处加TVS二极管可保护。

发表于 2025-8-28 12:27

经典 MOS 管电平转换电路利用 MOS 管开关特性实现不同电平转换。N 沟道 MOS 管源极接低电平域，漏极接高电平域电阻上拉，栅极接输入信号。输入高电平时 MOS 导通，输出拉低；输入低电平时 MOS 截止，输出被上拉至高电平。电路简单，适合单向转换，速度快，功耗低。

发表于 2025-11-25 16:39

经典 MOS 管电平转换电路多以 NMOS 管（如 2N7002）搭配双上拉电阻构成，常实现 3.3V 与 5V 双向转换。MOS 管关断时两侧分别被上拉电阻拉至各自高电平；导通时一侧低电平会拉低另一侧。其体二极管可辅助触发导通，确保反向电平拉低，适配 I2C 等总线，选型需注意导通电压适配低电压域。

发表于 2025-11-26 11:43

经典的是 NMOS 双向电路（常用 2N7002），适配 3.3V 与 5V 互转。两侧信号端配对应上拉电阻，靠 MOS 管导通 / 截止及体二极管工作。一侧输出低电平使 Vgs 达标导通，拉低另一侧；一侧输出高电平则 MOS 管截止，另一侧经上拉电阻到对应高电平，适配 I2C 等双向通讯场景。

发表于 2025-11-27 13:53

经典 MOS 管电平转换电路分单向 / 双向方案：单向常用 N 沟道 MOS 管（如 2N7002），高电平侧 VCC 驱动栅极，源极接低电平侧信号，漏极串上拉电阻到高电平，实现低→高转换；双向用两个互补 MOS 管，栅极交叉连接到两侧电源，无需方向控制，适配 I2C 等双向通信。电路结构简单、成本低，需匹配 MOS 管阈值电压与高低电平范围，避免信号失真，适用于中小速率电平转换场景。

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