SiC二极管的使用方法

发表于 2025-5-16 18:58

这样做可以防止静电损坏单片机。

发表于 2025-5-16 19:33

根据平均电流和峰值电流选择合适的额定电流，考虑温度影响和裕量。

发表于 2025-5-16 21:15

PCB布局时，二极管与开关管引脚间距<5mm，减少杂散电感

发表于 2025-5-18 07:34

开关电源用PWM信号控制SiC二极管开关。

发表于 2025-5-18 19:20

肖特基二极管高频好，但极性要搞对，别弄坏了。

发表于 2025-5-21 09:17

碳化硅（SiC）二极管作为一种基于碳化硅材料制成的半导体二极管，具备众多优点，如反向恢复时间短、开关损耗低、耐高温等，在电力电子领域应用广泛。

发表于 2025-5-21 11:22

由于SiC二极管具有极短的反向恢复时间和低的开关损耗，它们非常适合用于高频电路

发表于 2025-5-21 13:04

SiC二极管可直接替换Si FRD，但需重新优化死区时间与缓冲电路。

发表于 2025-5-21 14:45

SiC二极管可以用于高频开关电源中的同步整流和PFC（功率因数校正）电路。

发表于 2025-5-21 16:27

根据电路的工作频率和要求，设计合适的开关速度。过快的开关速度可能会导致电压尖峰和电磁干扰，而过慢的开关速度则会增加开关损耗。

发表于 2025-5-21 18:15

在驱动电路中，需要加入保护措施，以防止过流、过压等情况对 SiC 二极管造成损坏。例如，可以在驱动电路中加入限流电阻、稳压二极管等保护元件。

发表于 2025-5-21 20:06

SiC二极管零反向恢复，减少开关损耗，支持高频

发表于 2025-5-21 22:05

SiC器件对静电敏感，需采取严格的防静电措施。

发表于 2025-5-23 09:08

SiC二极管可以用于高频信号的放大和调制。

发表于 2025-5-23 10:51

在桥式电路中，SiC二极管反向恢复快，若死区时间过长，会导致体二极管导通损耗增加。

发表于 2025-5-23 12:33

选择SiC二极管时，应根据电路的具体需求选择合适的电压和电流规格，避免过载。

发表于 2025-5-23 14:17

可承受600V~3300V电压

发表于 2025-5-26 15:04

SiC肖特基二极管听起来很先进，它的短反向恢复时间对于高频应用来说是个很大的优势。

发表于 2025-6-3 14:59

效率关键选低压降，Sic二极管行。

发表于 2025-6-4 12:04

驱动信号得匹配二极管规格，不然它就**了。

[模拟产品/SiC] SiC二极管的使用方法