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[技术讨论]

突然断电了，数据来不及保存到flash，你有什么绝招？

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楼主: dffzh
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21楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-27 08:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
coody 发表于 2025-5-26 19:30
掉电检测，保存FLASH，常规操作。
用MCU内置的电压检测还是外置电路电压检测比较好？

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22楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-27 08:54 | 只看该作者
丙丁先生 发表于 2025-5-26 19:04
虽然断电可能导致数据丢失，但通过硬件保护、软件自动保存、日志记录以及备份等措施...    https://bbs.21i ...
还写了帖子，可以的，谢谢！

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23楼
xch| | 2025-5-27 09:50 | 只看该作者
dffzh 发表于 2025-5-27 08:49
24VDC供电，存到外置EEPROM芯片和MCU内部flash，在设计上会有什么区别吗？

问存储类型是需要算一下保存需要耗电多少，需要多长时间存储。不同存储器需求不一样。
问供电，要算外部电源切断到MCU供电电压跌落之间过渡时间。


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24楼
xch| | 2025-5-27 09:54 | 只看该作者
另外要做好电源抗干扰措施。否则会经常“狼来了“，或者掉电时MCU被干扰跑飞，没完成存储进程而不是来不及存。

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25楼
xionghaoyun| | 2025-5-27 10:05 | 只看该作者
电容给大 电阻分压ADC采集输入电压

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26楼
xionghaoyun| | 2025-5-27 10:06 | 只看该作者
接外置供电=纽扣电阻

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27楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-27 10:39 | 只看该作者
xch 发表于 2025-5-27 09:54
另外要做好电源抗干扰措施。否则会经常“狼来了“，或者掉电时MCU被干扰跑飞，没完成存储进程而不是来不及 ...
确实，防止误写

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28楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-27 10:40 | 只看该作者
本帖最后由 dffzh 于 2025-5-27 10:42 编辑
xch 发表于 2025-5-27 09:50
问存储类型是需要算一下保存需要耗电多少，需要多长时间存储。不同存储器需求不一样。
问供电，要算外部 ...
细节把控，EEPROM和flash读写速度确实也不一样；感谢！

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29楼
zjk103| | 2025-5-27 10:42 | 只看该作者
增大电源端的电容，设定较高的掉电电压门限，掉电中断优先级设定最高，增加电池或者法拉电容

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30楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-27 10:43 | 只看该作者
xionghaoyun 发表于 2025-5-27 10:05
电容给大 电阻分压ADC采集输入电压
外部电压检测是不是比MCU内部更加可靠？内部的触发阈值不太好界定？

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dffzh 2025-5-27 14:37 回复TA
@xionghaoyun ：好的，所以还是用数字量电平+消抖的方式来处理会比较好。 
xionghaoyun 2025-5-27 14:25 回复TA
是的 内部参加电压掉了读的ADC也是不准（就是单片机电源不稳 ADC电压不稳的） 
31楼
coody| | 2025-5-27 13:47 | 只看该作者
本帖最后由 coody 于 2025-5-27 13:48 编辑
dffzh 发表于 2025-5-27 08:53
用MCU内置的电压检测还是外置电路电压检测比较好？

响应最迅速的是检测220V AC，使用双向输入的光耦来检测，一般1ms内就知道断电了。
其次是DC24V、DC12V这种输入的电压端，使用比较器（可以是MCU自带的模拟比较器、运放）检测，输入24V则降到15V视为断电，输入12V则降到9V视为断电。再次是MCU内部检测VCC低压保存，这个风险最大，最不从容。

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32楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-27 14:07 | 只看该作者
coody 发表于 2025-5-27 13:47
响应最迅速的是检测220V AC，使用双向输入的光耦来检测，一般1ms内就知道断电了。
其次是DC24V、DC12V这种 ...
学习了，所以用220V源端电压来检测是否掉电是比较好的方式了，又快又准；
确实，使用MCU内部电压检测，阈值选择比较难，设得太低，触发时留给你的时间可能已经不够了；设得太高，可能在正常工作电压波动下就误触发。

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33楼
飞思啦| | 2025-5-27 16:24 | 只看该作者
大电容给mcu，低电压报警时，写flash

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34楼
丙丁先生| | 2025-5-28 07:01 | 只看该作者
dffzh 发表于 2025-5-27 08:53
用MCU内置的电压检测还是外置电路电压检测比较好？

用MCU内置电压比较器。

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35楼
丙丁先生| | 2025-5-28 07:04 | 只看该作者
dffzh 发表于 2025-5-27 08:54
还写了帖子，可以的，谢谢！

字少了不全面，多了又影响楼层美观。

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36楼
dami| | 2025-5-28 09:16 | 只看该作者
小设备加个电容就行了。但掉电电路要能及时检测到掉电了并产生中断，然后电容供电去保存数据。

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37楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-28 10:56 | 只看该作者
丙丁先生 发表于 2025-5-28 07:04
字少了不全面，多了又影响楼层美观。

任何时候，最难把握的就是“度”

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38楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-28 10:58 | 只看该作者
dami 发表于 2025-5-28 09:16
小设备加个电容就行了。但掉电电路要能及时检测到掉电了并产生中断，然后电容供电去保存数据。 ...
能够稳定、快速且无误地判断出掉电信号，确实是这种功能实现的最重要环节。

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39楼
dffzh|  楼主 | 2025-5-28 11:01 | 只看该作者
看到一位热心网友回复了使用FRAM的单片机，查了FRAM资料：FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电随机存取存储器）是一种结合了传统RAM（如DRAM、SRAM）和非易失性存储器（如Flash、EEPROM）特性的独特存储器。下面是不同存储器之间的对比信息：



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dffzh 2025-5-28 13:41 回复TA
@William1994 ：是的哦，EEPROM的耐久性通常在100,000到1,000,000次写入操作之间。 
William1994 2025-5-28 13:27 回复TA
EEPROM的耐久性是10的六次方，铁电只有TI一家做。等三十年后清华的RRAM出来吧。 Flash不擦只写可以做到us级别。 
40楼
rgjinxuan| | 2025-5-28 13:15 | 只看该作者
LVD  检测

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