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[经验分享] 电流防倒灌硬件设计：从原理到工程落地的深度解析

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modesty3jonah 发表于 2025-9-14 08:36 | 显示全部楼层
防倒灌设计通常通过单向导通元件或控制电路实现，如二极管、MOSFET等
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bartonalfred 发表于 2025-9-14 09:35 | 显示全部楼层
倒灌电流会在电源内部产生过大的环流，导致功率MOSFET击穿、变压器烧毁。
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sesefadou 发表于 2025-9-14 11:00 | 显示全部楼层
通过控制 MOS 桥方向，实现电流单向流动
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xiaoyaodz 发表于 2025-9-14 12:46 | 显示全部楼层
理想二极管控制器 + NMOS              
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1988020566 发表于 2025-9-14 13:11 | 显示全部楼层
PMOS防倒灌电路的优势在于导通电阻小、压降低
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chenci2013 发表于 2025-9-14 14:51 | 显示全部楼层
优先选择低导通电阻、高击穿电压、快速响应的器件。
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geraldbetty 发表于 2025-9-14 16:26 | 显示全部楼层
保护回路不过流，同时防止倒灌              
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mickit 发表于 2025-9-14 16:58 | 显示全部楼层
二极管具有单向导电性，允许电流从正极流向负极，阻止反向电流。
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qiufengsd 发表于 2025-9-14 17:35 | 显示全部楼层
PMOS管通过控制栅极电压实现导通和截止，是一种低功耗、低压降的防倒灌方案。
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lihuami 发表于 2025-9-16 20:11 | 显示全部楼层
内置 MOS 管和控制逻辑，支持自动切换和保护功能。
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1988020566 发表于 2025-9-16 21:06 | 显示全部楼层
电源切换瞬间，高电压侧可能通过二极管或通路倒灌到低电压源
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timfordlare 发表于 2025-9-16 21:36 | 显示全部楼层
执行模块布局紧凑，减少寄生电感。
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deliahouse887 发表于 2025-9-16 22:46 | 显示全部楼层
通过控制栅极电压，实现对电流的快速切断。MOSFET的导通电阻低，压降小，适用于高效率要求的场景。
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lzbf 发表于 2025-9-17 00:50 | 显示全部楼层
自动检测电流方向，反向时快速关断MOSFET
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lzbf 发表于 2025-9-17 19:06 | 显示全部楼层
肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关速度，适合高频应用。
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穷得响叮当侠 发表于 2025-9-19 16:52 | 显示全部楼层
文章中提到的电流倒灌的危害和触发条件，让我对这一现象有了更深刻的理解
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IntelCore 发表于 2025-10-7 07:10 | 显示全部楼层
电流不应逆向流动，以防器件损坏和系统出错。
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jdqdan 发表于 2025-10-7 07:54 | 显示全部楼层
选元件时，得看它导通电阻、能承受的大电流和耐压能力，别只看价格。
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LinkMe 发表于 2025-10-9 10:08 | 显示全部楼层
关键在于迅速发现风险，及时判断并切断，形成保护机制。
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LLGTR 发表于 2025-10-9 15:13 | 显示全部楼层
防倒灌设计用二极管或MOSFET等单向元件或电路来防止流体反向流动。
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