[经验分享] 电流防倒灌硬件设计:从原理到工程落地的深度解析

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modesty3jonah 发表于 2025-9-14 08:36 | 显示全部楼层
防倒灌设计通常通过单向导通元件或控制电路实现,如二极管、MOSFET等
bartonalfred 发表于 2025-9-14 09:35 | 显示全部楼层
倒灌电流会在电源内部产生过大的环流,导致功率MOSFET击穿、变压器烧毁。
sesefadou 发表于 2025-9-14 11:00 | 显示全部楼层
通过控制 MOS 桥方向,实现电流单向流动
xiaoyaodz 发表于 2025-9-14 12:46 | 显示全部楼层
理想二极管控制器 + NMOS              
1988020566 发表于 2025-9-14 13:11 | 显示全部楼层
PMOS防倒灌电路的优势在于导通电阻小、压降低
chenci2013 发表于 2025-9-14 14:51 | 显示全部楼层
优先选择低导通电阻、高击穿电压、快速响应的器件。
geraldbetty 发表于 2025-9-14 16:26 | 显示全部楼层
保护回路不过流,同时防止倒灌              
mickit 发表于 2025-9-14 16:58 | 显示全部楼层
二极管具有单向导电性,允许电流从正极流向负极,阻止反向电流。
qiufengsd 发表于 2025-9-14 17:35 | 显示全部楼层
PMOS管通过控制栅极电压实现导通和截止,是一种低功耗、低压降的防倒灌方案。
lihuami 发表于 2025-9-16 20:11 | 显示全部楼层
内置 MOS 管和控制逻辑,支持自动切换和保护功能。
1988020566 发表于 2025-9-16 21:06 | 显示全部楼层
电源切换瞬间,高电压侧可能通过二极管或通路倒灌到低电压源
timfordlare 发表于 2025-9-16 21:36 | 显示全部楼层
执行模块布局紧凑,减少寄生电感。
deliahouse887 发表于 2025-9-16 22:46 | 显示全部楼层
通过控制栅极电压,实现对电流的快速切断。MOSFET的导通电阻低,压降小,适用于高效率要求的场景。
lzbf 发表于 2025-9-17 00:50 | 显示全部楼层
自动检测电流方向,反向时快速关断MOSFET
lzbf 发表于 2025-9-17 19:06 | 显示全部楼层
肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关速度,适合高频应用。
穷得响叮当侠 发表于 2025-9-19 16:52 | 显示全部楼层
文章中提到的电流倒灌的危害和触发条件,让我对这一现象有了更深刻的理解
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