[学习资料] MOS管发热严重,怎样有效散热与解决?

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nomomy 发表于 2026-8-11 14:16 | 显示全部楼层
开关频率过高、开关速度过慢,电压电流交叠时间长,损耗呈指数级上升。
51xlf 发表于 2026-8-14 10:18 | 显示全部楼层
电感纹波小,但开关损耗成倍上涨,MOS 发热明显增加。
uytyu 发表于 2026-8-14 19:47 | 显示全部楼层
温度监控点应放在哪个位置?              
modesty3jonah 发表于 2026-8-14 22:08 | 显示全部楼层
导通电阻Rds(on)过大、驱动电压不足导致管子未完全打开,电流越大发热越明显。
jackcat 发表于 2026-8-15 12:10 | 显示全部楼层
多颗MOS管并联时如何保证均流?
hilahope 发表于 2026-8-15 14:48 | 显示全部楼层
先降低 PWM 频率,看 MOS 温度是否下降。温度明显下降 = 开关损耗为主;温度几乎不变 = 导通损耗为主。
uptown 发表于 2026-8-15 17:33 | 显示全部楼层
散热结构不足、PCB铜箔过薄、焊接接触电阻大,热量无法及时导出。
wilhelmina2 发表于 2026-8-16 08:41 | 显示全部楼层
散热器选型是否匹配实际功耗?              
robincotton 发表于 2026-8-16 11:13 | 显示全部楼层
温度监控点应放在哪个位置?              
febgxu 发表于 2026-8-16 13:44 | 显示全部楼层
用酒精清洁MOS管和散热片接触面,贴比接触面大10%的硅胶片,均匀按压排出气泡后用卡扣固定。
sdCAD 发表于 2026-8-16 16:11 | 显示全部楼层
MOS 总损耗 = 导通损耗 Pcond + 开关损耗 Psw + 驱动损耗 + 体二极管损耗
minzisc 发表于 2026-8-16 18:41 | 显示全部楼层
尝试更换低Rds(on)或更高耐热等级的MOS管,验证发热是否改善。
mickit 发表于 2026-8-17 12:03 | 显示全部楼层
选用0.5mm以下的超薄散热片粘贴,远离其他发热元件保证空气流通。
wwppd 发表于 2026-8-17 13:48 | 显示全部楼层
大电流大功率电机,优先降 PWM 频率,不要盲目追求高频。
macpherson 发表于 2026-8-17 15:30 | 显示全部楼层
在芯片下方布置多个金属化散热过孔,快速将热量传导至底层铜箔。
pl202 发表于 2026-8-17 17:13 | 显示全部楼层
减小栅极电阻可加快开关速度,降低开关损耗,但需平衡EMI影响。
xixi2017 发表于 2026-8-19 12:37 | 显示全部楼层
先减少热源(降低功率损耗),再打通散热通路(降低热阻),很多人只加装散热片,忽略驱动、布局、开关损耗,依然烫手
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