在晶圆级封装（WLP）中，Bump凸点是实现芯片与基板/ PCB互连的“桥梁”，其工艺直接决定封装密度、可靠性与成本。目前主流的Bump凸点工艺主要分为电镀法、焊料印刷法、蒸发/溅射法、球放置法四类，每类工艺因技术路径不同，在步骤、材料、设备及应用场景上差异显著。下面从实际生产视角，拆解各类工艺的核心细节与适配逻辑。
一、电镀法（Electroplating Bump）：高密度封装的“主流选择”
电镀法是目前最成熟、应用最广的Bump工艺，通过电化学沉积形成焊料凸点，尤其适合I/O密度高（＞1000个/mm²）、凸点尺寸小（20-100μm）的场景，比如高端SoC、AI芯片的WLP封装。
1. 核心步骤：从UBM到凸点成型
电镀法的关键是先构建 “凸点下金属化层（UBM）”—— 这是保证凸点与晶圆附着力、导电性的基础，完整流程分7步：
晶圆预处理：清洗晶圆表面（去除光刻胶残留、氧化物），用等离子体处理增强后续金属层的结合力；
UBM制备：通过溅射工艺沉积多层金属膜（典型结构：Ti/Cu/Ni/Au）——Ti（50-100nm）作黏附层（防止后续金属脱落），Cu（1-2μm）作种子层（导电基底），Ni（1-3μm）作阻挡层（防止焊料与晶圆金属互扩散），Au（50-100nm）作防氧化层（保护Ni层不被腐蚀）；
光刻胶涂覆与图形定义：涂覆厚层光刻胶（50-150μm，比目标凸点高20%），通过步进式光刻设备（Stepper）曝光、显影，在光刻胶上形成与凸点位置对应的“凹槽”（开口尺寸略小于目标凸点）；
焊料电镀：将晶圆放入电镀槽（镀液为SnAgCu、SnBi等无铅焊料的硫酸盐/氟硼酸盐溶液），以UBM的Cu层为阴极，通电后焊料离子在凹槽内沉积，直至达到目标高度（通常50-120μm）；
去胶与UBM蚀刻：用化学溶剂（如NMP）去除残留光刻胶，再通过干法蚀刻（等离子体）去除未被焊料覆盖的UBM层（避免短路）；
回流焊成型：将晶圆放入氮气氛围回流炉，升温至焊料熔点以上（如SnAgCu需240-250℃），焊料熔化后因表面张力形成半球形凸点，冷却后固化；
检测与修复：用光学检测设备（AOI）检查凸点高度、直径、间距，用X射线检测内部空洞，对不合格凸点进行激光修复或返工。
2. 材料与设备
核心材料：UBM金属靶材（Ti、Cu、Ni、Au）、厚层光刻胶（负性光刻胶，如Shipley S1800 系列）、电镀液（SnAgCu镀液，含稳定剂、光亮剂）、清洗溶剂（NMP、异丙醇）；
关键设备：溅射机（如Applied Materials PVD系统）、步进式光刻设备（ASML X线光刻机）、晶圆级电镀机（如Semtech电镀槽）、氮气回流炉（Heller 1800系列）、AOI检测机（Koh Young 3D检测系统）。
3. 优缺点：高密度与复杂性的权衡
优点：①凸点密度高（最小间距可至15μm）、一致性好（尺寸偏差≤5%）；②焊料成分可控（可精准调整Ag、Cu含量，适配不同可靠性需求）；③量产稳定性强（良率可达99.5%以上）；
缺点：①步骤多（7步以上），工艺复杂度高；②设备投资大（单条产线需5000万- 1亿元）；③光刻胶与电镀液成本高（占材料成本的40%）。
4. 成本与应用场景
成本：设备折旧占比高（年均折旧15%），量产（12英寸晶圆，月产能1万片）时单位凸点成本约0.001-0.003元（I/O数1万的芯片，单颗凸点成本约10-30元）；
应用场景：①高端消费电子：手机SoC（如骁龙8 Gen4、苹果A18）、平板处理器；②AI与服务器芯片：GPU（如英伟达H100）、AI加速卡（如华为昇腾910）；③高密度存储芯片：DDR5内存、3D NAND的WLP封装。
二、焊料印刷法（Solder Paste Printing Bump）：中低密度的“性价比之选”
焊料印刷法借鉴SMT工艺，通过钢网将焊膏直接印刷在晶圆UBM上，经回流焊形成凸点，适合凸点尺寸大（100-300μm）、I/O密度低（＜500个/mm²）的场景，比如物联网（IoT）MCU、消费电子中低端芯片。
1. 核心步骤：简化版“印刷 + 回流”
相比电镀法，焊料印刷法步骤减少50%，核心是“精准控量”，流程分5步：
晶圆预处理与UBM制备：与电镀法类似，但UBM结构更简单（通常为Cu/Ni/Au，厚度薄于电镀法），无需厚层光刻胶；
钢网制作：根据凸点位置与尺寸，制作不锈钢钢网（厚度50-150μm，开口尺寸比目标凸点小10%，防止焊膏溢出）；
焊膏印刷：将晶圆固定在真空吸附台上，钢网对齐UBM位置，用柔性刮刀（橡胶材质，硬度70 Shore A）将焊膏（SnAgCu、SnBi系，黏度100-300Pa・s）压入钢网开口，转移至UBM上；
回流焊成型：与电镀法回流工艺一致，焊膏熔化后形成凸点，因印刷量可控，凸点高度偏差≤10%；
检测：用AOI检查凸点有无缺料、桥连，无需蚀刻步骤（UBM已提前适配印刷区域）。
2. 材料与设备
核心材料：简化版 UBM靶材（Cu、Ni、Au）、焊膏（无铅焊膏，如Sn96.5Ag3.5）、不锈钢钢网（厚度精度±2μm）；
关键设备：晶圆级印刷机（如DEK Horizon 03i）、钢网激光切割机（如Trumpf激光机）、氮气回流炉、AOI检测机。
3. 优缺点：简单与密度的平衡
优点：①工艺步骤少（5步），操作简单（新手1周可上手）；②设备投资低（单条产线 1000万- 2000万元，仅为电镀法的1/5）；③换型快（更换钢网即可适配不同凸点尺寸，耗时＜1小时）；
缺点：①凸点密度低（最小间距≥50μm，受钢网开口限制）；②焊膏量控制难（易出现少料、桥连，良率约98%）；③不适合超小凸点（＜100μm时印刷精度不足）。
4. 成本与应用场景
成本：钢网成本低（500-2000元/片，使用寿命5000次），量产时单位凸点成本约 0.0005-0.001元（I/O数500的芯片，单颗成本约0.25-0.5元）；
应用场景：①物联网芯片：IoT MCU（如STM32L系列）、蓝牙芯片（如CSR8675）；②中低端消费电子：智能手环主控、充电宝管理芯片；③汽车电子低端模块：车窗控制芯片、车灯驱动芯片。
三、蒸发/溅射法（Evaporation/Sputtering Bump）：高频与细线宽的“特殊选择”
蒸发/溅射法通过真空环境下的物理气相沉积（PVD）形成金属凸点，适合凸点尺寸极小（5-50μm）、对信号完整性要求高（如高频射频、毫米波场景）的芯片，比如5G基站射频芯片、卫星通信芯片。
1. 核心步骤：真空环境下的“薄膜沉积”
该工艺的核心是“高纯度金属层沉积”，需在真空环境（10⁻⁶-10⁻⁸Pa）中进行，流程分6步：
晶圆清洁与真空准备：晶圆经超声波清洗（去除微米级杂质），放入真空镀膜腔室，抽至高真空；
UBM溅射沉积：通过磁控溅射沉积UBM层（典型结构：Cr/Cu/Au）——Cr（50nm）作黏附层，Cu（500nm）作导电层，Au（100nm）作防氧化层，厚度精度±5nm；
光刻胶涂覆与图形定义：涂覆薄层光刻胶（10-50μm），曝光显影后形成凸点图形开口；
金属蒸发/溅射：①蒸发法：将焊料（如AuSn20共晶焊料）放入钨舟，通电加热至熔融蒸发，金属蒸汽在开口处沉积；②溅射法：用焊料靶材（如SnAg），通过离子轰击使靶材原子溅射沉积到开口处，形成金属层；
光刻胶剥离：用湿法蚀刻（如丙酮溶液）去除光刻胶，未被光刻胶覆盖的金属层随胶剥离，留下凸点图形；
回流与检测：低温回流（如AuSn20熔点280℃）使凸点成型，用扫描电镜（SEM）检测凸点纯度与形貌。
2. 材料与设备
核心材料：UBM靶材（Cr、Cu、Au）、焊料靶材（AuSn、SnAg）、薄层光刻胶（正性光刻胶，如AZ 6130）；
关键设备：高真空蒸发机（如Leybold蒸发系统）、磁控溅射机（如Shimadzu溅射机）、SEM检测机、真空腔体维护设备。
3. 优缺点：高频优势与成本短板
优点：①凸点纯度高（金属纯度＞99.99%），信号损耗低（适合高频场景，毫米波频段插入损耗＜0.5dB）；②凸点尺寸小（最小可至5μm），细线宽精度高（±1μm）；③无化学污染（物理沉积，不使用电镀液）；
缺点：①设备投资极高（单台真空镀膜机1000万- 2000万元，产线需3-5台）；②量产效率低（单腔室每小时仅能处理1-2片12英寸晶圆）；③成本高（金属靶材利用率低，仅 30%-50%）。
4. 成本与应用场景
成本：单位凸点成本约0.01-0.05元（因效率低，分摊成本高），I/O数1000的高频芯片，单颗凸点成本约10-50元；
应用场景：①高频射频芯片：5G基站射频功率放大器（PA）、毫米波雷达芯片（如汽车激光雷达）；②航天军工芯片：卫星通信芯片、导弹制导系统芯片；③高精度传感器：MEMS 陀螺仪、光学传感器（如AR眼镜微显示芯片）。
四、球放置法（Ball Placement Bump）：大尺寸凸点的“可靠选择”
球放置法直接将预成型的焊料球（如SnAgCu球、Au球）放置在晶圆UBM上，经回流焊固定，适合凸点尺寸大（300-1000μm）、载流能力强（需通过大电流）的场景，比如功率器件（SiC/IGBT）、汽车电子高可靠性芯片。
1. 核心步骤：“拾取 - 放置 - 回流”三步曲
该工艺聚焦“大尺寸凸点的精准定位”，流程分4步：
晶圆预处理与UBM制备：UBM需厚且耐磨（典型结构：NiV/Cu/Ni/Au，总厚度5-10μm），以承载焊料球的重量与电流；
焊料球拾取与放置：用晶圆级球焊机（带视觉定位）拾取预成型焊料球（直径300-1000μm，圆度偏差≤2%），通过CCD相机对齐UBM位置，将球轻压在UBM上（压力5-10g，避免损伤晶圆）；
回流焊固定：在氮气回流炉中缓慢升温（升温速率 2-3℃/min），焊料球熔化后与UBM形成冶金结合，冷却后凸点高度偏差≤5%；
可靠性测试：对凸点进行推拉力测试（推力≥50N）、热循环测试（-40℃~150℃，1000次循环无开裂）。
2. 材料与设备
核心材料：厚层UBM靶材（NiV、Cu、Ni、Au）、预成型焊料球（SnAgCu球、Au球，直径精度±5μm）；
关键设备：晶圆级球焊机（如K&S 8028）、焊料球筛选机（去除不规则球）、氮气回流炉、推拉力测试机。
3. 优缺点：可靠性与密度的取舍
优点：①凸点载流能力强（直径500μm的SnAgCu凸点可通过50A以上电流）；②可靠性高（冶金结合面积大，热循环寿命是电镀法的2-3倍）；③工艺简单（4步即可完成，良率≥99%）；
缺点：①凸点密度极低（最小间距≥1mm，受球尺寸限制）；②放置效率低（每小时仅能放置1-2万颗球，适合小批量）；③不适合微型芯片（凸点尺寸过大，与芯片面积不匹配）。
4. 成本与应用场景
成本：预成型焊料球成本低（0.01-0.1元/颗），设备投资中等（单条产线1500万- 3000 万元），单颗芯片凸点成本约1-10元（I/O数10-100）；
应用场景：①功率器件：SiC MOSFET、IGBT模块（如新能源汽车电驱系统）；②汽车电子高可靠性芯片：安全气囊控制芯片、ESP（电子稳定程序）芯片；③工业功率模块：光伏逆变器功率芯片、储能系统IGBT芯片。
五、四大工艺核心参数对比与选型逻辑 选型核心逻辑：
看密度与尺寸：高密度（＞1000个/mm²）、小尺寸（＜100μm）选电镀法；超小尺寸（＜50μm）、高频选蒸发/溅射法；大尺寸（＞300μm）选球放置法；中低尺寸选印刷法；
看成本与量产规模：大批量、低成本需求选印刷法；中批量、高可靠选球放置法；小批量、高频选蒸发/溅射法；大批量、高端选电镀法；
看应用特性：载流需求高（功率器件）选球放置法；信号完整性要求高（射频）选蒸发 /溅射法；消费电子量产选电镀/印刷法。
总之，Bump凸点工艺的选择没有“最优解”，只有“最适配”——需结合芯片的I/O密度、功率需求、成本预算及应用场景，才能实现封装性能与经济性的平衡。
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