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全球存储芯片市场 “超级周期” 热度持续攀升，韩国两大内存巨头三星电子与 SK 海力士已正式通知客户，2025 年第四季度将上调 DRAM 和 NAND 闪存价格，其中 DRAM 涨幅最高达 30%，NAND 闪存涨幅为 5%-10%。这一调价动作印证了 AI 算力需求爆发下的供需失衡格局，行业采购模式正随之发生结构性转变。 涨价落地：头部厂商率先提价 传导链条启动据《韩国经济日报》援引业内消息，三星与 SK 海力士于 10 月下旬完成涨价通知下发，调价覆盖 DDR4/DDR5 服务器级 DRAM 及主流 NAND 闪存产品，其中服务器用 DRAM 成为涨价核心品类。值得注意的是，美光科技同步跟进市场节奏，不仅将 NAND 闪存报价上调 20%-30%，还一度暂停接受新订单，反映出全球头部厂商对供应紧张的一致判断。
涨价计划已快速传导至产业链下游。国内某服务器模组厂商透露，已收到三星电子的价格调整函，第四季度 DRAM 采购价较三季度环比上涨 28%，“且厂商要求签订季度预付款协议才能锁定配额”。这种价格传导速度较以往周期提升约 40%，凸显市场供需缺口的紧迫性。
核心动因：AI 驱动 HBM 爆发 产能结构性错配此轮涨价的核心驱动力来自 AI 产业引发的存储需求革命，高带宽内存（HBM）的爆发式增长成为关键变量。SK 海力士凭借 HBM3E 的先发优势，目前占据全球 60% 的 HBM 市场份额，且是英伟达 H100/H200 GPU 的独家供应商，其 12 层堆叠 HBM4 样品已启动与英伟达下一代产品的适配。三星则加速追赶，计划 2025 年下半年量产 HBM4，采用 4nm 逻辑工艺与 10nm DRAM 制程，目标良率突破 80%。
HBM 产能对传统 DRAM 的挤压进一步加剧供应紧张。三星已将平泽工厂 30% 的 DRAM 产线改造为 HBM 产线，SK 海力士 M15x 产线专注 HBM3E/4 量产，美光 2026 年底前的 HBM 产能已全部售罄。数据显示，HBM 消耗的晶圆产能是标准 DRAM 的三倍以上，而 2025 年全球 HBM 总产能虽增至 54 万片（同比增长 105%），仍无法填补 AI 需求缺口，当前 HBM3e 单价已突破 3000 美元，是传统 DDR5 的 20 倍。
与此同时，多场景需求形成叠加效应：AI 服务器单台存储需求达 2TB，是传统服务器的 3-5 倍；消费电子端侧 AI 功能普及推动智能手机标配 1TB 闪存；工业控制领域抗干扰存储需求增长 30%，三重需求共同推高存储芯片整体用量。
市场反应：客户锁定长期协议 机构上调预期面对持续涨价与供应短缺风险，下游客户开始放弃传统季度采购模式，转向签订长期协议。谷歌、微软、亚马逊、Meta 等国际科技巨头已启动与韩企的磋商，寻求锁定 2-3 年期供货合同，部分数据中心运营商甚至愿意接受溢价以保障优先配额。国内某云服务企业采购负责人表示：“目前库存仅能支撑 8 周生产，必须通过长协锁定明年产能。”
机构纷纷上调价格预测。花旗集团与摩根士丹利最新报告指出，2025 年第四季度 DRAM 平均售价涨幅将达 25%-26%，较此前预测上调超 10 个百分点。TrendForce 进一步预测，2025 年 HBM 平均单价将同比上涨 20.8% 至 1.80 美元 / Gb，即将上市的 12 层 HBM4 单价可能突破 500 美元，较当前 HBM3e 价格高出 60% 以上。分析师普遍认为，此轮短缺状况可能持续三到四年，强度与持续时间将超过以往周期。
行业影响：产能竞争转向资源控制涨价潮已带动资本市场反应，10 月 24 日 A 股存储芯片板块涨幅超 5%，普冉股份、科翔股份等多只个股涨停，香农芯创、江波龙刷新历史高点。从产业格局看，头部厂商正从产能竞争转向资源控制，三星加速推进 P3L、P4L 等新厂建设，计划 2026 年底月产能达 11.5 万片；SK 海力士则通过技术迭代巩固 HBM 优势，试图维持市场主导地位。
对于国内产业而言，长江存储 232 层 3D NAND 良率突破 85%，长鑫存储 19nm DDR5 内存切入联想、华为供应链，国产替代进程在周期中加速推进。但业内人士提醒，国内企业仍需突破 HBM 封装、高端硅片等关键环节，才能在超级周期中把握机遇。
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