倾佳电子行业洞察-电力电子的枢纽：以SiC碳化硅为支点，驾驭“十五五”能源变革

发表于 2025-10-25 08:06

倾佳电子行业洞察-电力电子的枢纽：以SiC碳化硅为支点，驾驭“十五五”能源变革倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！
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摘要
倾佳电子旨在深度剖析中国“十五五”规划（2026-2030年）对电力电子产业的深远影响，并阐明以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体在其中发挥的关键价值。倾佳电子认为，“十五五”时期将是中国“双碳”战略与“新型电力系统”建设从顶层设计转向大规模工程实践的关键转折点。这一历史性转型将催生对电力电子产业前所未有的结构性需求。
倾佳电子的核心论点是，高效、高密度的功率变换技术是这场能源革命的基石。在此背景下，以碳化硅为核心的第三代半导体功率器件，将从一个高速增长的细分领域，演变为支撑国家能源战略的、不可或缺的基础性技术。碳化硅在效率、功率密度和高频运行方面的卓越性能，并非简单的增量改进，而是实现国家在能源效率、电网稳定性和技术自主可控等核心目标的关键赋能要素。以深圳基本半导体等为代表的本土领军企业的崛起，将成为这一时期产业格局的决定性特征，其背后是市场需求与国家战略产业政策协同共振的强大驱动力。

第一章：战略背景：“十五五”规划与电力电子革命的必然性1.1 “双碳”目标：电力电子产业的核心驱动力

“十五五”规划期间，中国将进入实现2030年“碳达峰”目标的攻坚期，这为能源结构的根本性变革设定了明确的时间表和战略方向。延续“十四五”期间的政策导向，“十五五”将进一步加速能源消费从化石能源向非化石能源的转型。既有的政策文件已经明确要求大幅提升非化石能源在总消费和发电量中的比重，这一趋势在未来五年将只强不弱，从而为支撑绿色低碳能源体系的技术创造了巨大的结构性需求。
目前，中国已经构建了碳达峰、碳中和的“1+N”政策体系，并已采取实质性行动，如将非化石能源消费占比提升至17.5%，并对存量煤电机组进行节能降碳改造。可以预见，“十五五”规划将在此基础上，提出更具雄心的目标和更具体的实施路径。
国家的“双碳”目标不仅是一项环境政策，更是一项全面的经济与产业升级战略。政策文件反复强调将绿色转型与“高质量发展”相结合，这意味着目标不仅是减排，更在于通过转型培育新的经济增长点 3。电力电子产业，特别是以碳化硅为代表的先进功率半导体，正处在这一战略的交汇点。它们通过提升从发电、输配电到终端消费全链路的能源效率，直接服务于“双碳”目标。通过SiC器件实现的每一个百分点的效率提升，都意味着更少的能源浪费和碳排放。同时，这本身也催生了一个高附加值的先进制造业，完美契合了国家经济发展的双重目标。因此，电力电子产业的角色已从传统的配套支撑，上升为“十五五”经济愿景的核心支柱之一。

1.2 构建新型电力系统：电力电子主导的能源网络

“十五五”期间，中国电力系统建设的核心任务是应对“五高”特征带来的挑战：高比例新能源、高比例电力电子设备、高活跃度创新、高比例新市场主体和高概率极端气候 1。这一根本性转变意味着电网的运行模式将从过去由同步发电机主导的、稳定可预测的系统，转变为由大量间歇性、波动性电源构成的复系统。
这种波动性要求电网必须具备前所未有的灵活性和调节能力，其中，以储能为代表的灵活性资源成为维持电网稳定的关键。连接这些资源与电网的电力电子设备，如储能变流器（PCS）和光伏/风电逆变器，成为了调控整个电网的主要手段。“十四五”规划已经明确提出要发展由先进储能和智能电网技术支撑的“新型电力系统”，而“十五五”将是这些大规模系统从示范走向全面部署的实施阶段。
传统电网的稳定性在很大程度上依赖于大型旋转发电机组提供的物理转动惯量。而在新型电力系统中，光伏、风电和储能等资源通过逆变器等电力电子设备并网，这些设备本身不具备物理惯量。因此，整个电网的频率稳定和动态平衡，完全取决于电力电子接口的控制速度、智能化水平和可靠性。这使得核心功率半导体器件（如SiC MOSFET）的性能，不再仅仅是单个设备的效率指标，而是直接关系到国家能源安全的系统性问题。SiC器件更快的开关速度、更低的损耗和更优越的控制特性，使其成为有效管理未来复杂电网动态、保障系统安全稳定运行的必要技术支撑。

1.3 技术自主可控：国产SiC产业的政策东风

在当前复杂的国际环境下，能源安全与“科技自立自强”已被提升至国家战略的最高层面。“十四五”能源领域科技创新规划明确提出，要“补强短板”，解决在关键零部件、基础材料和专用软件等方面对国外的依赖问题。
在这一战略指引下，以碳化硅为代表的第三代半导体被定位为“前瞻性、颠覆性技术”，是国家重点扶持和攻关的领域。这意味着本土SiC产业链，从上游的衬底材料到下游的器件制造与应用，都将获得包括研发资金、市场准入和产业政策在内的全方位支持。
供应链安全已成为国家关键基础设施建设的首要考量。在“十五五”期间，国家电网、大型新能源基地、数据中心等关键能源基础设施的建设，将极大地倾向于采用国产核心元器件，以规避地缘政治风险和供应链中断的威胁。这将为本土SiC企业创造一个巨大的、具有一定保护性的高增长市场。这种非市场的战略性拉动，将有力地帮助如基本半导体等本土领军企业加速扩大市场份额，即使在面对拥有技术或成本优势的国际竞争对手时也能获得发展空间。基本半导体的股东结构中已出现中国中车、三峡能源、广汽资本等国家战略性产业资本的身影，这正是产业与国家战略深度绑定的早期信号，为其未来的市场拓展和规模化发展提供了坚实的保障。

第二章：关键领域影响分析：新能源、储能及其他
2.1 储能系统（ESS）：电网灵活性的核心支柱

储能是解决新能源并网波动性的关键技术，而储能变流器（PCS）作为连接电池与电网的核心，其性能直接决定了整个储能电站的经济性和可靠性。“十五五”期间，随着储能装机规模的爆发式增长，对PCS的效率和功率密度要求将达到前所未有的高度。
SiC功率器件的应用为PCS带来了革命性的性能提升。实证数据显示，在125 kW工商业储能PCS中，以SiC模块替代传统IGBT模块，可实现显著的经济效益。
表1：SiC在125kW储能PCS中的性能与经济影响

指标

基于IGBT的PCS

基于SiC的PCS

量化提升

平均效率约98%>99%提升1%+
模块功率密度基准基准 x 1.25提升25%+
系统尺寸 (示例)780x220x485mm680x220x520mm体积更紧凑
系统初始成本基准降低5%降低5%
投资回报周期基准缩短2-4个月缩短2-4个月
在具体产品选型上，针对125 kW的PCS，系统设计者既可以选择采用24颗1200V/13mΩ的SiC MOSFET分立器件（如B3M012C120Z）并联的方案，也可以选择采用4个1200V/5.5mΩ的SiC半桥功率模块（如BMF240R12E2G3）的方案，体现了SiC技术应用的灵活性。
储能项目的盈利能力对往返效率和初始投资成本（CapEx）极为敏感。SiC带来的超过1%的效率提升，在项目长达10-15年的生命周期内，通过能量套利和辅助服务能够创造可观的额外收入。更重要的是，功率密度提升25%以上，直接降低了系统集成（BOS）成本，包括更小的机柜、更简化的冷却系统和更少的占地面积，而这些BOS成本占据了项目总成本的很大一部分。通过同时提升运营收入（效率）和降低初始投资（密度），SiC从根本上改善了储能项目的商业模型，这将极大加速其在“十五五”期间的部署速度。
2.2 新能源发电（光伏与风电）

对于光伏和风电等新能源发电形式，逆变器是将直流电能转换为交流电能并入电网的核心设备。逆变器的效率每提高一个百分点，就意味着同一套发电资产能够向电网输送更多的电量，这直接增加了项目运营商的收入，并降低了平准化度电成本（LCOE）。
SiC MOSFET凭借其卓越的高频、高效性能，已成为新一代光伏逆变器的首选技术。例如，基本半导体的B3M020120ZL等型号被明确推荐用于光伏逆变器应用。SiC器件的低开关损耗特性允许逆变器工作在更高的开关频率，这使得内部的电感、电容等磁性元件可以做得更小、更轻，从而大幅提升逆变器的功率密度，降低制造成本和安装难度
“十五五”期间，中国将继续推进大规模新能源基地（如沙漠、戈壁、荒漠地区）和海上风电的建设 1。在这些动辄吉瓦级的项目中，系统效率的微小差异都会被放大。SiC逆变器带来的效率提升直接增加了年发电量。同时，其高功率密度特性对于重量和空间极其敏感的海上风电平台，以及空间有限的分布式屋顶光伏项目尤为关键。因此，SiC技术不仅是在提升效率，更是在通过降低单位瓦特的总安装成本，加速可再生能源实现全面平价上网的进程。

2.3 电网基础设施与电能质量

随着高比例的逆变器并网，电网中的谐波污染问题日益突出，严重影响电能质量和电网稳定性。有源电力滤波器（APF）是解决这一问题的关键设备，其作用是实时补偿谐波，净化电网环境。
SiC器件的应用使APF的性能实现了跨越式发展。数据显示，与传统的IGBT方案相比，采用SiC的APF体积可减小超过50%，重量减轻超过40%，而整机效率则从普遍的97%左右提升至高达99% 。在产品选型上，一个150A的APF推荐使用3个SiC半桥模块（如BMF240R12E2G3），展示了模块化方案在电能质量设备中的应用潜力。
电网的稳定性是国家能源安全的基石。“十五五”期间大规模的新能源接入，必然伴随着巨大的电能质量治理需求。传统APF设备笨重、损耗高，限制了其大规模部署。SiC技术带来的性能飞跃，使得在变电站、工业园区、数据中心等关键节点大规模部署高效、紧凑的APF成为可能。更高的效率也意味着APF设备自身能耗更低，有助于降低电网的整体碳足迹。因此，基于SiC的APF是为新能源转型“保驾护航”的关键技术装备。

2.4 电气化生态系统：充电设施与工业升级

电动汽车充电设施：为支撑日益增长的电动汽车保有量，“十五五”期间必然要求建设一个覆盖广泛、充电快速的高功率充电网络 3。SiC器件是实现高效、高功率密度充电模块的核心技术。对于一个60kW的双向充电模块，采用全SiC拓扑（例如使用3个BMF240R12E2G3模块）已成为推荐方案，这有助于提升充电效率，缩小充电桩体积。
工业应用升级：提升工业能效是国家节能减排战略的重要组成部分。在逆变焊机等高频工业设备中，SiC的优势尤为突出。量化对比显示，采用SiC（开关频率70kHz）的焊机可轻松达到一级能效标准（效率>90%），而传统IGBT焊机（开关频率20kHz）通常只能达到二级能效（效率约86%）。这带来了约9.8%的显著节电效果，仅需运行60至110天，节省的电费就足以收回购买一台新SiC焊机的成本。
“十五五”的能源战略不仅关注清洁发电，同样重视降低终端能耗。电动汽车充电桩和工业焊机的案例生动地展示了SiC如何成为需求侧能效提升的催化剂。对充电桩而言，更高的效率意味着更少的电能以热量形式浪费，降低了充电网络运营商的运营成本。对工业领域而言，焊机的例子提供了一个极具说服力的范本：SiC带来的运营成本节约是如此显著，以至于为工业设备的更新换代创造了极具吸引力的、快速的投资回报。这将推动一轮广泛的工业电气化和能效升级浪潮，从需求侧为“双碳”目标的实现做出重要贡献。

第三章：SiC功率器件的关键价值：技术深度解析

3.1 SiC相较于硅的根本优势
碳化硅之所以被誉为第三代半导体的核心材料，源于其远超传统硅材料的物理特性。这些特性赋予了SiC功率器件在性能上的代际优势。
表2：碳化硅（SiC）与硅（Si）核心材料属性对比

属性

硅 (Si)

碳化硅 (4H-SiC)

倍数差异 (SiC vs. Si)

对功率器件的意义

禁带宽度 ($E_g$)1.12 eV3.26 eV$\approx$ 3倍更低漏电流，更高工作温度，更低损耗
临界击穿场强 ($E_c$)$\approx$ 0.3 MV/cm$\approx$ 3.0 MV/cm$\approx$ 10倍可制造更高耐压、更薄、更低导通电阻的器件
热导率 ($\lambda$)$\approx$ 1.5 W/cm·K$\approx$ 4.5 W/cm·K$\approx$ 3倍优异的散热能力，简化冷却系统，提高可靠性
电子饱和漂移速率 ($v_{sat}$)$\approx$ 1.0 x $10^7$ cm/s$\approx$ 2.0 x $10^7$ cm/s$\approx$ 2倍更快的开关速度，支持更高工作频率这些优越的材料特性，直接转化为功率器件层面的性能飞跃，使得SiC器件能够实现比硅器件更高的电压、更高的频率、更高的效率和更高的温度，同时体积更小。

3.2 SiC MOSFET 与 Si IGBT：性能量化基准

在电力电子应用中，SiC MOSFET正逐步取代传统的Si IGBT，成为中高压领域的首选。其优势可通过关键性能指标进行量化对比。
导通损耗 ($R_{DS(on)}$)：虽然IGBT在极高电流下的饱和压降可能更低，但SiC MOSFET在绝大多数应用（如电动汽车）长时间运行的中低负载区间，表现出更低的导通电阻，从而具有更低的导通损耗 16。基本半导体的第三代（B3M）芯片相比前代和竞争对手，在导通电阻的一致性和温度稳定性方面表现更优。
开关损耗 ($E_{on}$, $E_{off}$)：这是SiC最核心的优势。IGBT作为双极型器件，在关断时存在明显的“拖尾电流”，导致巨大的关断损耗 ($E_{off}$) 。而SiC MOSFET作为单极型器件，几乎没有拖尾电流，开关速度极快。
表3：SiC MOSFET与IGBT在高频工业应用中的性能对比

应用场景

技术方案

开关频率

单器件总损耗

系统效率

20kW 逆变焊机Si IGBT20 kHz$\approx$ 150 W$\approx$ 97.1% (2级能效)
20kW 逆变焊机SiC MOSFET80 kHz$\approx$ 80 W> 98.6% (1级能效)如上表所示，在逆变焊机应用中，将开关频率从IGBT的20 kHz提升至SiC的80 kHz（提升4倍），单器件总损耗反而降低了近50% 12。具体到器件层面，基本半导体的B3M040120Z SiC MOSFET与业界领先的Cree（Wolfspeed）同类产品相比，其关断损耗低30%，总开关损耗在室温下低%，且在高温下优势更为明显。
品质因数 (FOM = $R_{DS(on)} \times Q_G$)：该指标综合了导通性能（$R_{DS(on)}$）和开关性能（栅极电荷$Q_G$）。更低的FOM值代表更优的综合能效。基本半导体的B3M系列器件相比其上一代产品及主要竞争对手，展现出更优的FOM值，证明了其在技术上的进步。
SiC的性能优势并非在所有工况下都均等，其价值在需要高开关频率的应用中被最大化。低开关损耗不仅直接节约了能量，更关键的是，它允许设计者将系统的工作频率提升数倍。频率的提升使得系统中的电感、电容等无源元件的体积、重量和成本得以大幅缩减。因此，SiC的颠覆性价值不仅在于器件本身的节能，更在于它所带来的整个电力变换系统的成本、尺寸和重量的革命性优化。这正是其在光伏逆变器、车载充电机和各类电源中成为颠覆性技术的核心原因。

3.3 成熟的SiC生态系统：从芯片到解决方案

随着产业的成熟，领先的SiC企业已不再仅仅是销售分立器件，而是致力于提供完整、易用的系统级解决方案。
基本半导体的产品布局是这一趋势的典型代表。其产品组合不仅覆盖了核心的SiC MOSFET分立器件 12 和SiC肖特基二极管（SBD），还包括了采用行业标准封装（如34mm、62mm、E1B、E2B）的高度集成的功率模块 12。更重要的是，公司还提供了一系列关键的配套芯片，包括隔离栅极驱动芯片（如BTD5350MCWR）、驱动电源芯片（如BTP1521F）以及专用隔离变压器（如TR-P15DS23-EE13），形成了一个完整的解决方案生态。
一个完整的本土化解决方案生态系统，是推动SiC技术广泛应用的关键加速器。由于SiC器件开关速度极快，其驱动设计和电路布局比传统硅器件更为复杂，对电磁干扰（EMI）和电压过冲的控制要求更高。通过提供经过充分测试和验证的全套组件（芯片、模块、驱动、电源），像基本半导体这样的公司极大地降低了系统设计工程师的应用门槛。这种“交钥匙”式的解决方案，不仅缩短了客户产品的开发周期和上市时间，也确保了SiC芯片的优异性能能够在最终系统中得到充分发挥。这种生态系统的成熟度，标志着中国SiC产业已经为迎接“十五五”期间的大规模市场应用做好了准备。

第四章：市场动态与竞争格局（2026-2030）4.1 量化机遇：全球与中国市场预测在电动汽车和新能源产业的强劲拉动下，全球SiC功率器件市场正迎来爆发式增长。
全球市场：根据Yole Group的预测，全球SiC功率器件市场规模将从2023年的27亿美元增长至2029年的超过100亿美元，复合年增长率（CAGR）约为25% 。其中，汽车应用预计将占据70%至80%的市场份额，成为最主要的增长引擎。
中国市场：中国的SiC市场增速更为迅猛。据预测，2024年至2029年，中国SiC功率器件市场的年复合增长率将高达43.9%，市场规模预计在2029年达到428亿元*币（约合60亿美元）。届时，SiC在中国整体功率器件市场的渗透率将从2024年的5.4%跃升至19.0% 。
表4：中国SiC功率器件市场预测（2024-2029年）

年份

市场规模（*币十亿元）

年复合增长率 (CAGR)

在功率器件市场中的渗透率

2024 (E)10.1-5.4%
2029 (P)42.843.9% (2024-2029)19.0%“十五五”期间，SiC技术将在中国从一个新兴的细分市场转变为功率半导体的主流技术之一。届时，中国单一市场的规模将可能超过几年前的全球市场总量。2029年中国市场约60亿美元的预测规模，已远超2023年全球27亿美元的市场体量。这表明中国不仅是SiC产业的参与者，更将成为全球最核心的需求中心。由“十五五”能源与电动汽车政策驱动的庞大内需，为本土SiC企业提供了实现规模经济、挑战国际巨头的独特主场优势。
4.2 本土力量崛起与国产化浪潮在国家战略的推动下，中国正在SiC全产业链上加速国产化进程，从上游的衬底材料到下游的器件和模块，本土企业正在迅速崛起。
上游衬底材料：中国企业已在全球市场中占据重要地位。例如，天岳先进在2024年已成为全球第二大导电型SiC衬底供应商，市场份额达到22.8% 。
中下游器件与模块：国内器件领域的竞争格局日趋活跃，涌现出包括IDM（整合元件制造商）、设计公司和代工厂在内的众多参与者。基本半导体将自身定位为具备晶圆制造和模块封装能力的“第一梯队”企业，在激烈的市场竞争中占据了有利位置。
SiC产业已成为中国实现“科技自立自强”战略的关键领域。目前，中国正采取双轨并行的策略：一方面，大力扶持像天岳先进和基本半导体这样的本土龙头企业；另一方面，也积极推动如意法半导体（STMicroelectronics）等国际领军企业在中国设立合资公司，实现本地化生产。这一策略旨在快速提升国内的制造能力和技术水平。“十五五”期间，这意味着下游应用企业（如电动汽车制造商和电网公司）将拥有多个可供选择的“本土”供应商，包括纯内资企业和中外合资企业。这将加剧市场竞争，推动成本下降，并加速对进口硅基IGBT及国外SiC器件的替代，最终实现关键元器件供应链安全可控的国家战略目标。
4.3 案例分析：基本半导体的战略定位

基本半导体的发展路径，是中国本土SiC企业成功战略的一个缩影。
技术与产品：公司拥有清晰的技术路线图，其第三代（B3M）SiC MOSFET产品在与Wolfspeed、英飞凌等国际巨头的对标测试中，展现出极具竞争力的性能。其全面的产品组合覆盖了从分立器件到功率模块，再到驱动和电源芯片的完整生态系统，能够为客户提供一站式解决方案。
市场应用：公司已成功进入国内外多家主流汽车厂商和一级供应商的供应链，配套的多款车型已实现量产 12。在工业领域，其产品也已成为光伏、储能、焊机等行业客户的首选品牌之一。
战略协同：公司的股东结构中包含了中国中车、广汽集团、三峡能源、深投控等关键领域的产业资本和国有资本，这表明其发展与国家战略方向高度一致，能够获得来自产业链上下游和资本层面的强大支持。
基本半导体的成功模式——以强大的研发实力为基础，构建完整的产品生态，并与国家战略性产业深度融合——为本土企业如何在“十五五”期间抓住历史机遇、实现价值最大化提供了范本。该公司不仅是在销售元器件，更是将自身嵌入到中国最具战略意义的产业链（汽车、轨道交通、新能源）之中。与主流车企的深度合作，为其带来了长期、稳定的大批量订单，这不仅是销售收入，更是支撑其持续进行技术研发和产能扩张的基石。这种与下游“国家队”企业形成的共生关系，构建了强大的竞争壁垒。
第五章：战略展望与建议

5.1 未来五年的关键趋势（2026-2030）向8英寸晶圆过渡：为降低成本，全行业将加速从6英寸向8英寸SiC晶圆的迁移。中国衬底供应商在此领域已展现出强大的潜力，甚至开始演示12英寸技术，这将成为未来成本竞争的关键。
成本竞争加剧：随着更多本土厂商产能的释放，尤其是在工业级市场，价格竞争将日趋激烈。能否在要求高可靠性的汽车和电网领域锁定长期订单，将是决定企业盈利能力的关键。
供应链全面国产化：从SiC粉料、外延生长到芯片制造和模块封装，构建完全自主可控的供应链将是“十五五”期间的重中之重，也是衡量产业发展成功与否的核心指标。
模块级创新：竞争的焦点将进一步从分立器件转向高度集成的智能功率模块。这些模块将集成驱动、传感、保护和先进散热技术，以最大化SiC在系统层面的价值。

5.2 对行业相关方的建议深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。
公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
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对于投资者：应重点关注那些具备明确规模化路径、与下游战略产业（电动汽车、电网、储能）深度绑定，并拥有核心技术护城河（如衬底生长技术、先进封装工艺）的企业。从上游材料到下游器件的整个价值链都存在投资机会。
对于SiC制造商：必须持续加大研发投入，保持技术领先（如沟槽栅MOSFET、更低导通电阻）。围绕核心器件构建完善的“解决方案生态”，降低客户的应用门槛。同时，与国内优质衬底供应商签订长期供货协议，以锁定成本并保障产能扩张的顺利进行。
对于系统集成商（PCS、逆变器、车企等）：应积极与国内领先的SiC供应商建立战略合作关系，共同设计下一代电力电子系统。充分利用SiC高频、高密度的系统级优势，打造具有更低全生命周期成本和更高性能的差异化产品。
对于政策制定者：在继续通过研发项目（如“揭榜挂帅”）支持技术创新的同时，应将政策重心更多地向需求侧倾斜。例如，制定和推行鼓励高能效设备的标准，并在电力辅助服务等市场机制中，为SiC系统所具备的快速响应能力提供应有的价值回报，从而通过市场化手段引导技术升级。

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