对于PMOS，始终坚持使用源极（Source）作为参考点，去衡量栅极（Gate）和漏极（Drain）的电压，即始终关注 VSG 和 VSD，这样所有公式和判断逻辑都会变得非常清晰直观，并且与NMOS完美对应。
这正是微电子学中一个强大的思维方式：通过变换参考系来将复杂的新问题转化为熟悉的旧问题。
为了巩固这个理解，我们可以用一个简单的CMOS反相器作为例子，来展示NMOS和PMOS这种“互补”的优雅之处：
从上图可以看到：
当输入为低电平（0V）时，对于NMOS，其 VGS = 0V，小于阈值，故截止；对于PMOS，其 VSG = VDD，大于阈值，故导通，将输出上拉至VDD。
当输入为高电平（VDD）时，对于NMOS，其 VGS = VDD，大于阈值，故导通；对于PMOS，其 VSG = 0V，小于阈值，故截止，输出被下拉至0V。
这种“一个导通，另一个就截止”的特性，使得CMOS电路在稳态时几乎没有从电源到地的直流通路，从而实现了极低的静态功耗。而这完美运作的基础，就在于我们清晰地把握了NMOS和PMOS各自的工作条件。
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