在交错式 TTP PFC 高频支路中相比传统 MOSFET 的开关损耗是不是要好很多？

发表于 2025-12-6 15:48

取消整流桥，高频支路电流仅流经1个MOSFET和1个二极管，导通损耗大幅降低

发表于 2025-12-6 16:35

精确设计 PCB 布局减少寄生参数影响。

发表于 2025-12-6 17:42

在 TTP PFC 高频支路中，其开关损耗反而更差，甚至不可用

发表于 2025-12-6 18:40

开关损耗显著更低，且综合性能更优。

发表于 2025-12-6 19:39

注意驱动电路设计

发表于 2025-12-6 21:28

轻载时采用 CRM/BCM 模式实现零电流开关

发表于 2025-12-6 22:32

开关损耗显著低于传统 MOSFET 方案，降幅可达50% 以上

发表于 2025-12-7 13:32

ST Super Junction Gen3 SiC Power MOSFET 在交错式 TTP PFC 高频支路中相比传统 MOSFET 的开关损耗是要好很多

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